AUIRFN8459TR MOSFET 40V デュアル N チャネル HEXFET
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | インフィニオン |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | PQFN-8 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 2チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 40V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 70A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 5.9ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 3V |
| Qg - ゲートチャージ: | 40nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 175℃ |
| Pd - 消費電力: | 50W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | インフィニオン テクノロジーズ |
| 構成： | デュアル |
| 落下時間: | 42ns |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 66S |
| 身長： | 1.2mm |
| 長さ： | 6mm |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 55ns |
| 工場パック数量: | 4000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 2 Nチャンネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 25ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 10ns |
| 幅： | 5mm |
| パーツ # エイリアス: | AUIRFN8459TR SP001517406 |
| 単位重量: | 0.004308オンス |
♠ MOSFET 40V デュアル N チャネル HEXFET
車載アプリケーション向けに特別に設計されたこの HEXFET® パワー MOSFET は、最新の処理技術を利用して、シリコン面積あたりの非常に低いオン抵抗を実現しています。この設計のその他の機能は、175°C のジャンクション動作温度、高速スイッチング速度、改善された繰り返しアバランシェ定格です。これらの機能を組み合わせることで、この製品は、自動車やその他のさまざまなアプリケーションで使用するための非常に効率的で信頼性の高いデバイスになっています。
高度なプロセス技術
デュアル N チャネル MOSFET
超低オン抵抗
175°C の動作温度
高速スイッチング
Tjmax まで許容される繰り返し雪崩
鉛フリー、RoHS 準拠
自動車認定 *
12V 自動車システム
ブラシ付き DC モーター
ブレーキング
伝達
