SUD19P06-60-GE3 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mΩ @ 10V
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | ビシェイ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | TO-252-3 |
| トランジスタ極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 60V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 50A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 60ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 3V |
| Qg - ゲートチャージ: | 40nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 113W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 商標名： | トレンチFET |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 30ns |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 22 S |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 9ns |
| シリーズ： | SUD |
| 工場パック数量: | 2000年 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 Pチャネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 65ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 8ns |
| パーツ # エイリアス: | SUD19P06-60-BE3 |
| 単位重量: | 0.011640オンス |
• IEC 61249-2-21 定義に準拠したハロゲンフリー
•TrenchFET®パワーMOSFET
• 100 % UIS テスト済み
• RoHS 指令 2002/95/EC に準拠
• フルブリッジ コンバータ用のハイサイド スイッチ
• LCDディスプレイ用DC/DCコンバータ
