IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580ミリオーム 44nC
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | インフィニオン |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | TO-252-3 |
| トランジスタ極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 150V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 13A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 580ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 4V |
| Qg - ゲートチャージ: | 66nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 175℃ |
| Pd - 消費電力: | 110W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | インフィニオン テクノロジーズ |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 37ns |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 3.6秒 |
| 身長： | 2.3mm |
| 長さ： | 6.5mm |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 36ns |
| 工場パック数量: | 2000年 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 Pチャネル |
| タイプ： | 予備 |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 53ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 14ns |
| 幅： | 6.22mm |
| パーツ # エイリアス: | IRFR6215TRPBF SP001571562 |
| 単位重量: | 0.011640オンス |
♠ IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET® パワーMOSFET
International Rectifier の第 5 世代 HEXFET は、高度な技術を利用しています。可能な限り低いオン抵抗を達成するための処理技術シリコンエリア。この利点は、高速スイッチング速度と相まってHEXFET パワー MOSFET が持つ堅牢なデバイス設計でよく知られており、設計者に非常に効率的なデバイスを提供します。幅広い用途に。
D-PAK は、気相を使用した表面実装用に設計されています。赤外線、またはウェーブはんだ付け技術。ストレートリードバージョン（IRFUシリーズ）はスルーホール実装用です。力典型的な表面では、最大 1.5 ワットの消費レベルが可能です。アプリケーションをマウントします。
P チャネル
175°C の動作温度
表面実装 (IRFR6215)
ストレートリード (IRFU6215)
高度なプロセス技術
高速スイッチング
完全雪崩定格
鉛フリー
