STH3N150-2 MOSFET N-CH 1500V 6オーム 2.5A PowerMESH
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | STマイクロエレクトロニクス |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | H2PAK-2 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 1.5kV |
| Id - 連続ドレイン電流: | 2.5A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 9オーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 3V |
| Qg - ゲートチャージ: | 29.3nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 140W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 商標名： | パワーメッシュ |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | STマイクロエレクトロニクス |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 61ns |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 2.6S |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 47ns |
| シリーズ： | STH3N150-2 |
| 工場パック数量: | 1000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 N チャネル パワー MOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 45ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 24ns |
| 単位重量: | 4g |
♠ TO-3PF、H2PAK-2、TO-220、および TO247 パッケージの N チャネル 1500 V、2.5 A、6 Ω typ. PowerMESH パワー MOSFET
これらのパワー MOSFET は、STMicroelectronics の統合されたストリップ レイアウト ベースの MESH OVERLAY プロセスを使用して設計されています。その結果、他のメーカーの同等の標準部品の性能に匹敵する、または性能を向上させた製品が得られます。
• 100% 雪崩試験済み
• 固有容量と Qg を最小化
• 高速スイッチング
• 完全に絶縁された TO-3PF プラスチック パッケージ、沿面距離パスは 5.4 mm (標準)
• アプリケーションの切り替え
