STH3N150-2 MOSFET N-CH 1500V 6Ω 2.5A パワーメッシュ
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | STマイクロエレクトロニクス |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS指令: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | H2PAK-2 |
| トランジスタの極性: | Nチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 1.5kV |
| Id - 連続ドレイン電流: | 2.5A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 9オーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 3V |
| Qg - ゲート電荷: | 29.3 nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 140ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 商号: | パワーメッシュ |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | STマイクロエレクトロニクス |
| 構成： | シングル |
| 落下時間: | 61ナノ秒 |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 2.6秒 |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 47ナノ秒 |
| シリーズ： | STH3N150-2 |
| 工場パック数量: | 1000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1個のNチャネルパワーMOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 45ナノ秒 |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 24ナノ秒 |
| 単位重量: | 4グラム |
♠ Nチャネル 1500 V、2.5 A、6 Ω（標準）、PowerMESH パワー MOSFET（TO-3PF、H2PAK-2、TO-220、TO247 パッケージ）
これらのパワーMOSFETは、STマイクロエレクトロニクスの統合ストリップレイアウトベースのMESH OVERLAYプロセスを用いて設計されています。その結果、他社の同等の標準部品と同等、あるいはそれ以上の性能を実現する製品が実現しました。
• 100%雪崩テスト済み
• 固有容量とQgを最小化
• 高速スイッチング
• 完全に絶縁された TO-3PF プラスチック パッケージ、沿面距離は 5.4 mm (標準)
• アプリケーションの切り替え
