STD4NK100Z MOSFET 車載グレード Nチャネル 1000 V、5.6 Ω（標準）2.2 A SuperMESH パワー MOSFET
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | STマイクロエレクトロニクス |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS指令: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | TO-252-3 |
| トランジスタの極性: | Nチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 1kV |
| Id - 連続ドレイン電流: | 2.2A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 6.8オーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -30V、+30V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 4.5V |
| Qg - ゲート電荷: | 18nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 90ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 商号: | スーパーメッシュ |
| シリーズ： | STD4NK100Z |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | STマイクロエレクトロニクス |
| 構成： | シングル |
| 落下時間: | 39ナノ秒 |
| 身長： | 2.4ミリメートル |
| 長さ： | 10.1ミリメートル |
| 製品： | パワーMOSFET |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 7.5ナノ秒 |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1 Nチャネル |
| タイプ： | スーパーメッシュ |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 15ナノ秒 |
| 幅： | 6.6ミリメートル |
| 単位重量: | 0.011640オンス |
♠ 車載グレードNチャネル1000V、5.6Ω（標準）、2.2A SuperMESH™パワーMOSFET、ツェナー保護付きDPAK
このデバイスは、STマイクロエレクトロニクスのSuperMESH™テクノロジーを用いて開発された、ツェナー保護付きNチャネルパワーMOSFETです。このテクノロジーは、STの定評あるストリップベースのPowerMESH™レイアウトを最適化して実現されています。オン抵抗を大幅に低減するだけでなく、最も要求の厳しいアプリケーションでも高いdv/dt特性を確保できるように設計されています。
• 車載用途向けに設計され、AEC-Q101認定を取得
• 非常に高いdv/dt性能
• 100%雪崩テスト済み
• ゲート電荷を最小化
• 非常に低い固有容量
• ツェナー保護
• 切り替えアプリケーション
