STD4NK100Z MOSFET 車載グレード N チャネル 1000 V、5.6 Ω typ 2.2 A SuperMESH パワー MOSFET
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | STマイクロエレクトロニクス |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | TO-252-3 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 1kV |
| Id - 連続ドレイン電流: | 2.2A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 6.8オーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -30V、+30V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 4.5V |
| Qg - ゲートチャージ: | 18nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 90W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 商標名： | スーパーメッシュ |
| シリーズ： | STD4NK100Z |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | STマイクロエレクトロニクス |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 39ns |
| 身長： | 2.4mm |
| 長さ： | 10.1mm |
| 製品： | パワーMOSFET |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 7.5ns |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 N チャネル |
| タイプ： | スーパーメッシュ |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 15ns |
| 幅： | 6.6mm |
| 単位重量: | 0.011640オンス |
♠ 車載グレードの N チャネル 1000 V、5.6 Ω typ.、2.2 A DPAK でツェナー保護された SuperMESH™ パワー MOSFET
このデバイスは、ST の十分に確立されたストリップ ベースの PowerMESH™ レイアウトの最適化によって達成された、STMicroelectronics の SuperMESH™ テクノロジを使用して開発された N チャネル ツェナー保護付きパワー MOSFET です。オン抵抗の大幅な低減に加えて、このデバイスは、最も要求の厳しいアプリケーションに対して高レベルの dv/dt 機能を保証するように設計されています。
• 車載アプリケーション向けに設計されており、AEC-Q101 認定済み
• 非常に高い dv/dt 機能
• 100% 雪崩試験済み
• ゲート電荷の最小化
• 非常に低い固有容量
• ツェナー保護
• アプリケーションの切り替え
