SI9945BDY-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8

簡単な説明:

メーカー: ビシェイ
製品カテゴリ:MOSFET
データシート:SI9945BDY-T1-GE3
説明:MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
RoHS ステータス: RoHS 準拠


製品の詳細

特徴

アプリケーション

製品タグ

♠商品説明

商品属性 属性値
メーカー: ビシェイ
製品カテゴリ: MOSFET
RoHS: 詳細
テクノロジー: Si
取り付けスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOIC-8
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 2チャンネル
Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: 60V
Id - 連続ドレイン電流: 5.3A
Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: 58ミリオーム
Vgs - ゲート-ソース間電圧: -20V、+20V
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: 1V
Qg - ゲートチャージ: 13nC
最低動作温度: - 55℃
最高動作温度: + 150℃
Pd - 消費電力: 3.1W
チャネル モード: 強化
商標名: トレンチFET
包装: リール
包装: カットテープ
包装: マウスリール
ブランド: ビシェイ・セミコンダクターズ
構成: デュアル
落下時間: 10ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 15S
製品の種類: MOSFET
立ち上がり時間: 15ns、65ns
シリーズ: SI9
工場パック数量: 2500
サブカテゴリ: MOSFET
トランジスタの種類: 2 Nチャンネル
標準的なターンオフ遅延時間: 10ns、15ns
標準的なターンオン遅延時間: 15ns、20ns
パーツ # エイリアス: SI9945BDY-GE3
単位重量: 750mg

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