BUK9K35-60E、115 MOSFET BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D

簡単な説明:

メーカー:ネクスペリアUSA
製品カテゴリ: トランジスタ – FET、MOSFET – アレイ
データシート:BUK9K35-60E,115
説明: MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
RoHS ステータス: RoHS 準拠


製品の詳細

特徴

アプリケーション

製品タグ

♠商品説明

商品属性 属性値
メーカー: ネクスペリア
製品カテゴリ: MOSFET
RoHS: 詳細
テクノロジー: Si
取り付けスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: LFPAK-56D-8
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 2チャンネル
Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: 60V
Id - 連続ドレイン電流: 22A
Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: 32ミリオーム
Vgs - ゲート-ソース間電圧: -10V、+10V
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: 1.4V
Qg - ゲートチャージ: 7.8nC
最低動作温度: - 55℃
最高動作温度: + 175℃
Pd - 消費電力: 38W
チャネル モード: 強化
資格: AEC-Q101
包装: リール
包装: カットテープ
包装: マウスリール
ブランド: ネクスペリア
構成: デュアル
落下時間: 10.6ns
製品の種類: MOSFET
立ち上がり時間: 11.3ns
工場パック数量: 1500
サブカテゴリ: MOSFET
トランジスタの種類: 2 Nチャンネル
標準的なターンオフ遅延時間: 14.9ns
標準的なターンオン遅延時間: 7.1ns
パーツ # エイリアス: 934066977115
単位重量: 0.003958 オンス

♠ BUK9K35-60E デュアル N チャネル 60 V、35 mΩ ロジック レベル MOSFET

TrenchMOS 技術を使用した LFPAK56D (Dual Power-SO8) パッケージのデュアル ロジック レベル N チャネル MOSFET。この製品は、高性能自動車アプリケーションで使用するために、AEC Q101 規格に準拠して設計および認定されています。


  • 前:
  • 次:

  • •デュアルMOSFET

    • Q101準拠

    • 繰り返し雪崩定格

    • 175 °C の定格により、熱的に要求の厳しい環境に適しています

    • VGS(th) 定格が 175 °C で 0.5 V を超える真の論理レベル ゲート

    • 12 V 車載システム

    • モーター、ランプ、ソレノイド制御

    • 伝送制御

    • 超高性能パワースイッチング

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