NVTFS5116PLTWG MOSFET シングル Pチャンネル 60V、14A、52mohm
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | オンセミ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | WDFN-8 |
| トランジスタ極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 60V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 14A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 52ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 3V |
| Qg - ゲートチャージ: | 25nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 175℃ |
| Pd - 消費電力: | 21W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | オンセミ |
| 構成： | 独身 |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 11 S |
| 製品の種類： | MOSFET |
| シリーズ： | NVTFS5116PL |
| 工場パック数量: | 5000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 Pチャネル |
| 単位重量: | 0.001043オンス |
• コンパクト設計のための小さなフットプリント (3.3 x 3.3 mm)
• 伝導損失を最小限に抑える低 RDS(on)
• ドライバの損失を最小限に抑えるための低容量
• NVTFS5116PLWF − ウェッタブル フランク製品
• AEC-Q101 認定および PPAP 対応
• これらのデバイスは鉛フリーで、RoHS に準拠しています。
