NVTFS5116PLTWG MOSFET シングル P チャネル 60V、14A、52mohm
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | オンセミ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | WDFN-8 |
| トランジスタの極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 60V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 14 A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 52ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 3V |
| Qg - ゲート電荷: | 25nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 175℃ |
| Pd - 消費電力: | 21ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 資格： | AEC-Q101 |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | オンセミ |
| 構成： | シングル |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 11 S |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| シリーズ： | NVTFS5116PL |
| 工場パック数量: | 5000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1 Pチャネル |
| 単位重量: | 0.001043オンス |
• コンパクトな設計のための小さなフットプリント（3.3 x 3.3 mm）
• 低RDS(on)で導通損失を最小限に抑えます
• ドライバーの損失を最小限に抑える低容量
• NVTFS5116PLWF − ウェッタブルフランク製品
• AEC−Q101認定およびPPAP対応
• これらのデバイスは鉛フリーでRoHSに準拠しています
