FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
♠商品説明
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| ファブリカンテ: | オンセミ |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| RoHS: | デターレス |
| 技術: | Si |
| エスティロ・デ・モンタヘ: | SMD/SMT |
| パケーテ/キュビエルタ: | SSOT-3 |
| ポラリダッド デル トランジスタ: | Nチャンネル |
| 運河の数: | 1チャンネル |
| Vds - Tensión interruptiva entre drenaje y fuente: | 20V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 1.7A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 55ミリオーム |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | -8V、+8V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400mV |
| Qg - カルガ・デ・プエルタ: | 5nC |
| 最低気温: | - 55℃ |
| 最高気温: | + 150℃ |
| Dp - Disipacion de potencia : | 500mW |
| モド運河: | 強化 |
| コマーシャル名: | パワートレンチ |
| エンパケタード: | リール |
| エンパケタード: | カットテープ |
| エンパケタード: | マウスリール |
| マルカ: | onsemi / フェアチャイルド |
| 構成: | 独身 |
| ティエンポ デ カイダ: | 8.5ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 7 S |
| アルチュラ: | 1.12mm |
| 経度: | 2.9mm |
| 製品: | MOSFET小信号 |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| ティエンポ・デ・サブダ: | 8.5ns |
| シリーズ: | FDN335N |
| Cantidad de empaque de fabrica: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタのタイプ: | 1 N チャネル |
| ヒント: | MOSFET |
| ティエンポ・デ・リタード・デ・アパガド・ティピコ: | 11ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 5ns |
| アンチョ: | 1.4mm |
| エイリアス デ ラス ピエザス n.º: | FDN335N_NL |
| ペソ・デ・ラ・ユニダード: | 0.001058オンス |
♠ N チャンネル 2.5V 指定の PowerTrenchTM MOSFET
この N チャネル 2.5V 仕様の MOSFET は、ON Semiconductor の高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。このプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能のために低いゲート電荷を維持するように特別に調整されています。
• 1.7 A、20 V。RDS(ON) = 0.07 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 2.5 V。
• 低ゲート電荷 (標準 3.5nC)。
• 非常に低い RDS(ON) のための高性能トレンチ技術。
• ハイパワーおよび電流処理能力。
•DC/DCコンバータ
• ロードスイッチ
