NTMFS4C029NT1G MOSFET トレンチ 6 30V NCH

簡単な説明:

メーカー: オン・セミコンダクター

製品カテゴリ: トランジスタ – FET、MOSFET – シングル

データシート:NTMFS4C029NT1G

説明: MOSFET N-CH 30V 15A 46A 5DFN

RoHS ステータス: RoHS 準拠


製品の詳細

特徴

アプリケーション

製品タグ

♠商品説明

商品属性 属性値
メーカー: オンセミ
製品カテゴリ: MOSFET
RoHS: 詳細
テクノロジー: Si
取り付けスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SO-8FL-4
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: 30V
Id - 連続ドレイン電流: 46A
Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: 4.9ミリオーム
Vgs - ゲート-ソース間電圧: -20V、+20V
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: 2.2V
Qg - ゲートチャージ: 18.6nC
最低動作温度: - 55℃
最高動作温度: + 150℃
Pd - 消費電力: 23.6W
チャネル モード: 強化
包装: リール
包装: カットテープ
包装: マウスリール
ブランド: オンセミ
構成: 独身
落下時間: 7ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 43S
製品の種類: MOSFET
立ち上がり時間: 34ns
シリーズ: NTMFS4C029N
工場パック数量: 1500
サブカテゴリ: MOSFET
トランジスタの種類: 1 N チャネル
標準的なターンオフ遅延時間: 14ns
標準的なターンオン遅延時間: 9ns
単位重量: 0.026455 オンス

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  • • 伝導損失を最小限に抑える低 RDS(on)

    • ドライバの損失を最小限に抑えるための低容量

    • スイッチング損失を最小限に抑える最適化されたゲート電荷

    • これらのデバイスは、鉛フリー、ハロゲン フリー/BFR フリーであり、RoHS に準拠しています。

    • CPUパワーデリバリー

    • DC-DC コンバーター

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