NTMFS4C029NT1G MOSFET トレンチ 6 30V NCH
♠商品説明
商品属性 | 属性値 |
メーカー: | オンセミ |
製品カテゴリ: | MOSFET |
RoHS: | 詳細 |
テクノロジー: | Si |
取り付けスタイル: | SMD/SMT |
パッケージ/ケース: | SO-8FL-4 |
トランジスタ極性: | Nチャンネル |
チャンネル数: | 1チャンネル |
Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 30V |
Id - 連続ドレイン電流: | 46A |
Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 4.9ミリオーム |
Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 2.2V |
Qg - ゲートチャージ: | 18.6nC |
最低動作温度: | - 55℃ |
最高動作温度: | + 150℃ |
Pd - 消費電力: | 23.6W |
チャネル モード: | 強化 |
包装: | リール |
包装: | カットテープ |
包装: | マウスリール |
ブランド: | オンセミ |
構成: | 独身 |
落下時間: | 7ns |
順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 43S |
製品の種類: | MOSFET |
立ち上がり時間: | 34ns |
シリーズ: | NTMFS4C029N |
工場パック数量: | 1500 |
サブカテゴリ: | MOSFET |
トランジスタの種類: | 1 N チャネル |
標準的なターンオフ遅延時間: | 14ns |
標準的なターンオン遅延時間: | 9ns |
単位重量: | 0.026455 オンス |
• 伝導損失を最小限に抑える低 RDS(on)
• ドライバの損失を最小限に抑えるための低容量
• スイッチング損失を最小限に抑える最適化されたゲート電荷
• これらのデバイスは、鉛フリー、ハロゲン フリー/BFR フリーであり、RoHS に準拠しています。
• CPUパワーデリバリー
• DC-DC コンバーター