IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

簡単な説明:

メーカー: インフィニオン
製品カテゴリ:MOSFET
データシート: IPD50N04S4-10
説明:パワートランジスタ
RoHS ステータス: RoHS 準拠


製品の詳細

特徴

製品タグ

♠商品説明

商品属性 属性値
メーカー: インフィニオン
製品カテゴリ: MOSFET
RoHS: 詳細
テクノロジー: Si
取り付けスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: TO-252-3
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: 40V
Id - 連続ドレイン電流: 50A
Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: 9.3ミリオーム
Vgs - ゲート-ソース間電圧: -20V、+20V
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: 3V
Qg - ゲートチャージ: 18.2nC
最低動作温度: - 55℃
最高動作温度: + 175℃
Pd - 消費電力: 41W
チャネル モード: 強化
資格: AEC-Q101
商標名: オプティモス
包装: リール
包装: カットテープ
ブランド: インフィニオン テクノロジーズ
構成: 独身
落下時間: 5ns
身長: 2.3mm
長さ: 6.5mm
製品の種類: MOSFET
立ち上がり時間: 7ns
シリーズ: OptiMOS-T2
工場パック数量: 2500
サブカテゴリ: MOSFET
トランジスタの種類: 1 N チャネル
標準的なターンオフ遅延時間: 4ns
標準的なターンオン遅延時間: 5ns
幅: 6.22mm
パーツ # エイリアス: IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1
単位重量: 330mg

  • 前:
  • 次:

  • • N チャネル – エンハンスメント モード

    • AEC認定

    • MSL1 最高 260°C ピーク リフロー

    • 175°C の動作温度

    • グリーン製品 (RoHS 準拠)

    • 100% 雪崩試験済み

     

    関連製品