IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | インフィニオン |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | TO-252-3 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 40V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 50A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 9.3ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 3V |
| Qg - ゲートチャージ: | 18.2nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 175℃ |
| Pd - 消費電力: | 41W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 商標名： | オプティモス |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| ブランド： | インフィニオン テクノロジーズ |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 5ns |
| 身長： | 2.3mm |
| 長さ： | 6.5mm |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 7ns |
| シリーズ： | OptiMOS-T2 |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 N チャネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 4ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 5ns |
| 幅： | 6.22mm |
| パーツ # エイリアス: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| 単位重量: | 330mg |
• N チャネル – エンハンスメント モード
• AEC認定
• MSL1 最高 260°C ピーク リフロー
• 175°C の動作温度
• グリーン製品 (RoHS 準拠)
• 100% 雪崩試験済み
