FQU2N60CTU MOSFET 600V N チャネル Adv Q-FET C シリーズ
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | オンセミ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | スルーホール |
| パッケージ/ケース: | TO-251-3 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 600V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 1.9A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 4.7オーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -30V、+30V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 2V |
| Qg - ゲートチャージ: | 12nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 2.5W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 包装: | チューブ |
| ブランド： | onsemi / フェアチャイルド |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 28ns |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 5S |
| 身長： | 6.3mm |
| 長さ： | 6.8mm |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 25ns |
| シリーズ： | FQU2N60C |
| 工場パック数量: | 5040 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 N チャネル |
| タイプ： | MOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 24ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 9ns |
| 幅： | 2.5mm |
| 単位重量: | 0.011993オンス |
♠ MOSFET – N チャンネル、QFET 600 V、1.9 A、4,7
この N チャネル エンハンスメント モード パワー MOSFET は、onsemi 独自のプレーナ ストライプおよび DMOS 技術を使用して製造されています。この高度な MOSFET 技術は、オン状態抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高いアバランシェ エネルギー強度を提供するように特別に調整されています。これらのデバイスは、スイッチ モード電源、アクティブ力率補正 (PFC)、および電子ランプ バラストに適しています。
• 1.9 A、600 V、RDS(on) = 4.7 (最大) @ VGS = 10 V、ID = 0.95 A
• 低ゲート電荷 (標準 8.5 nC)
• 低 Crss (標準 4.3 pF)
• 100%雪崩試験済み
• これらのデバイスは Halid Free であり、RoHS に準拠しています。
