FQU2N60CTU MOSFET 600V NチャネルAdv Q-FET Cシリーズ
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | オンセミ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 貫通穴 |
| パッケージ/ケース: | TO-251-3 |
| トランジスタの極性: | Nチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 600V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 1.9A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 4.7オーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -30V、+30V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 2V |
| Qg - ゲート電荷: | 12nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 2.5ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| パッケージ: | チューブ |
| ブランド： | オンセミ / フェアチャイルド |
| 構成： | シングル |
| 落下時間: | 28ナノ秒 |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 5S |
| 身長： | 6.3ミリメートル |
| 長さ： | 6.8ミリメートル |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 25ナノ秒 |
| シリーズ： | FQU2N60C |
| 工場パック数量: | 5040 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1 Nチャネル |
| タイプ： | MOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 24ナノ秒 |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 9ナノ秒 |
| 幅： | 2.5ミリメートル |
| 単位重量: | 0.011993オンス |
♠ MOSFET – N チャネル、QFET 600 V、1.9 A、4.7
このNチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFETは、オン・セミコンダクター社独自のプレーナストライプおよびDMOS技術を用いて製造されています。この先進的なMOSFET技術は、オン抵抗を低減し、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー耐性を実現するように特別に設計されています。これらのデバイスは、スイッチング電源、アクティブ力率改善回路（PFC）、電子ランプバラストなどに最適です。
• 1.9 A、600 V、RDS(on) = 4.7（最大）@ VGS = 10 V、ID = 0.95 A
• 低ゲート電荷（標準8.5 nC）
• 低Crss（標準4.3 pF）
• 100%雪崩テスト済み
• これらのデバイスはハロゲンフリーで、RoHSに準拠しています
