FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠商品説明
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| ファブリカンテ: | オンセミ |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| RoHS: | デターレス |
| 技術: | Si |
| エスティロ・デ・モンタヘ: | SMD/SMT |
| パケーテ/キュビエルタ: | SSOT-3 |
| ポラリダッド デル トランジスタ: | Nチャンネル |
| 運河の数: | 1チャンネル |
| Vds - Tensión interruptiva entre drenaje y fuente: | 30V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2.2A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 65ミリオーム |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | -8V、+8V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400mV |
| Qg - カルガ・デ・プエルタ: | 9nC |
| 最低気温: | - 55℃ |
| 最高気温: | + 150℃ |
| Dp - Disipacion de potencia : | 500mW |
| モド運河: | 強化 |
| エンパケタード: | リール |
| エンパケタード: | カットテープ |
| エンパケタード: | マウスリール |
| マルカ: | onsemi / フェアチャイルド |
| 構成: | 独身 |
| ティエンポ デ カイダ: | 10ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 13 S |
| アルチュラ: | 1.12mm |
| 経度: | 2.9mm |
| 製品: | MOSFET小信号 |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| ティエンポ・デ・サブダ: | 10ns |
| シリーズ: | FDN337N |
| Cantidad de empaque de fabrica: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタのタイプ: | 1 N チャネル |
| ヒント: | FET |
| ティエンポ・デ・リタード・デ・アパガド・ティピコ: | 17ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 4ns |
| アンチョ: | 1.4mm |
| エイリアス デ ラス ピエザス n.º: | FDN337N_NL |
| ペソ・デ・ラ・ユニダード: | 0.001270オンス |
♠ トランジスター - Nチャンネル、ロジックレベル、エンハンスメントモードフィールド効果
SUPERSOT-3 N チャネル ロジック レベル エンハンスメント モード パワー電界効果トランジスタは、onsemi 独自の高セル密度 DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えるように特別に調整されています。これらのデバイスは、ノートブック コンピューター、携帯電話、PCMCIA カード、およびその他のバッテリ駆動回路での低電圧アプリケーションに特に適しており、非常に小型のアウトライン サーフェス マウント パッケージで高速スイッチングと低インライン電力損失が必要とされます。
• 2.2A、30V
♦ RDS(on) = 0.065 @ VGS = 4.5 V
♦ RDS(on) = 0.082 @ VGS = 2.5 V
• 独自のSUPERSOT-3設計を使用した業界標準のアウトラインSOT-23表面実装パッケージにより、優れた熱的および電気的機能を実現
• 非常に低い RDS(on) のための高密度セル設計
• 優れたオン抵抗と最大 DC 電流能力
• このデバイスは、鉛フリーおよびハロゲンフリーです。
