FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
♠ 製品説明
| 製品の属性 | 貢献の勇気 |
| 製作者: | オンセミ |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| RoHS指令: | 詳細 |
| テクノロジー: | Si |
| マウントスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/クビエルタ: | SSOT-3 |
| トランジスタの極性: | Nチャネル |
| チャンネル番号: | 1チャンネル |
| VDS - 緊張と混乱が続いています: | 20V |
| ID - コリエンテ デ ドレナヘ 続き: | 1.7A |
| Rds On - レジステンシア・エントレ・ドレナヘ・イ・フエンテ: | 55ミリオーム |
| VGS - 中央と中央の張力: | -8V、+8V |
| Vgs th - 中央部と中央部の張力: | 400 mV |
| Qg - ドアの番号: | 5nC |
| ミニマの温度: | - 55℃ |
| 最高の温度: | + 150℃ |
| Dp - 能力の消失 : | 500ミリワット |
| モド運河： | 強化 |
| 商号: | パワートレンチ |
| 梱包: | リール |
| 梱包: | カットテープ |
| 梱包: | マウスリール |
| マルカ： | オンセミ / フェアチャイルド |
| 構成: | シングル |
| 営業時間: | 8.5ナノ秒 |
| Transconductancia hacia delante - 分: | 7S |
| アルトゥーラ： | 1.12ミリメートル |
| 経度: | 2.9ミリメートル |
| 製品: | MOSFET小信号 |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 降伏時間: | 8.5ナノ秒 |
| シリーズ: | FDN335N |
| 製造会議: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1 Nチャネル |
| タイプ: | MOSFET |
| 重要なポイント: | 11ナノ秒 |
| デモラデエンセンディドのティエンポ: | 5ナノ秒 |
| アンチョ： | 1.4ミリメートル |
| ピースの別名： | FDN335N_NL |
| 単位の金額: | 0.001058オンス |
♠ Nチャネル 2.5V 指定 PowerTrenchTM MOSFET
この N チャネル 2.5V 指定の MOSFET は、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら低いゲート電荷を維持し、優れたスイッチング性能を実現するように特別に調整された ON Semiconductor の高度な PowerTrench プロセスを使用して製造されています。
• 1.7 A、20 V。RDS(ON) = 0.07 Ω @ VGS = 4.5 V、RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 2.5 V。
• 低いゲート電荷（標準 3.5nC）。
• 極めて低い RDS(ON) を実現する高性能トレンチ テクノロジー。
• 高い電力および電流処理能力。
• DC/DCコンバータ
• 負荷スイッチ
