CSD88537ND MOSFET 60V デュアル N チャネル パワー MOSFET
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | テキサス・インスツルメンツ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | SOIC-8 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 2チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 60V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 16A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 15ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 2.6V |
| Qg - ゲートチャージ: | 14nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 2.1W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 商標名： | NexFET |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | テキサス・インスツルメンツ |
| 構成： | デュアル |
| 落下時間: | 19ns |
| 身長： | 1.75mm |
| 長さ： | 4.9mm |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 15ns |
| シリーズ： | CSD88537ND |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 2 Nチャンネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 5ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 6ns |
| 幅： | 3.9mm |
| 単位重量: | 74mg |
♠ CSD88537ND デュアル 60V N チャネル NexFET™ パワー MOSFET
このデュアル SO-8、60 V、12.5 mΩ NexFET™ パワー MOSFET は、低電流モーター制御アプリケーションでハーフ ブリッジとして機能するように設計されています。
• 超低QgおよびQgd
• 雪崩定格
• 鉛フリー
• RoHS対応
•ハロゲンフリー
• モーター制御用ハーフブリッジ
• 同期降圧コンバータ
