BUK9K35-60E、115 MOSFET BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
♠ 製品説明
製品属性 | 属性値 |
メーカー: | ネクスペリア |
製品カテゴリー: | MOSFET |
RoHS指令: | 詳細 |
テクノロジー: | Si |
取り付けスタイル: | 表面実装 |
パッケージ/ケース: | LFPAK-56D-8 |
トランジスタの極性: | Nチャネル |
チャンネル数: | 2チャンネル |
Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 60V |
Id - 連続ドレイン電流: | 22 A |
Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 32ミリオーム |
Vgs - ゲート-ソース電圧: | -10V、+10V |
Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 1.4V |
Qg - ゲート電荷: | 7.8 nC |
最低動作温度: | - 55℃ |
最大動作温度: | + 175℃ |
Pd - 消費電力: | 38ワット |
チャネルモード: | 強化 |
資格: | AEC-Q101 |
パッケージ: | リール |
パッケージ: | カットテープ |
パッケージ: | マウスリール |
ブランド: | ネクスペリア |
構成: | デュアル |
落下時間: | 10.6ナノ秒 |
製品タイプ: | MOSFET |
立ち上がり時間: | 11.3ナノ秒 |
工場パック数量: | 1500 |
サブカテゴリ: | MOSFET |
トランジスタタイプ: | 2 Nチャネル |
標準的なターンオフ遅延時間: | 14.9ナノ秒 |
標準的なターンオン遅延時間: | 7.1ナノ秒 |
部品番号別名: | 934066977115 |
単位重量: | 0.003958オンス |
♠ BUK9K35-60E デュアル N チャネル 60 V、35 mΩ ロジックレベル MOSFET
TrenchMOSテクノロジーを採用したLFPAK56D(デュアルパワーSO8)パッケージのデュアルロジックレベルNチャネルMOSFETです。本製品は、高性能車載アプリケーション向けに設計・認定されており、AEC Q101規格に準拠しています。
• デュアルMOSFET
• Q101準拠
• 繰り返し雪崩に耐えられる
• 175℃定格のため、熱的に厳しい環境に適しています
• 175℃でVGS(th)定格が0.5Vを超える真のロジックレベルゲート
• 12V自動車システム
• モーター、ランプ、ソレノイド制御
• トランスミッション制御
• 超高性能電力スイッチング