BUK9K35-60E、115 MOSFET BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
♠商品説明
商品属性 | 属性値 |
メーカー: | ネクスペリア |
製品カテゴリ: | MOSFET |
RoHS: | 詳細 |
テクノロジー: | Si |
取り付けスタイル: | SMD/SMT |
パッケージ/ケース: | LFPAK-56D-8 |
トランジスタ極性: | Nチャンネル |
チャンネル数: | 2チャンネル |
Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 60V |
Id - 連続ドレイン電流: | 22A |
Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 32ミリオーム |
Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -10V、+10V |
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 1.4V |
Qg - ゲートチャージ: | 7.8nC |
最低動作温度: | - 55℃ |
最高動作温度: | + 175℃ |
Pd - 消費電力: | 38W |
チャネル モード: | 強化 |
資格: | AEC-Q101 |
包装: | リール |
包装: | カットテープ |
包装: | マウスリール |
ブランド: | ネクスペリア |
構成: | デュアル |
落下時間: | 10.6ns |
製品の種類: | MOSFET |
立ち上がり時間: | 11.3ns |
工場パック数量: | 1500 |
サブカテゴリ: | MOSFET |
トランジスタの種類: | 2 Nチャンネル |
標準的なターンオフ遅延時間: | 14.9ns |
標準的なターンオン遅延時間: | 7.1ns |
パーツ # エイリアス: | 934066977115 |
単位重量: | 0.003958 オンス |
♠ BUK9K35-60E デュアル N チャネル 60 V、35 mΩ ロジック レベル MOSFET
TrenchMOS 技術を使用した LFPAK56D (Dual Power-SO8) パッケージのデュアル ロジック レベル N チャネル MOSFET。この製品は、高性能自動車アプリケーションで使用するために、AEC Q101 規格に準拠して設計および認定されています。
•デュアルMOSFET
• Q101準拠
• 繰り返し雪崩定格
• 175 °C の定格により、熱的に要求の厳しい環境に適しています
• VGS(th) 定格が 175 °C で 0.5 V を超える真の論理レベル ゲート
• 12 V 車載システム
• モーター、ランプ、ソレノイド制御
• 伝送制御
• 超高性能パワースイッチング