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W9864G6KH-6 DRAM 64Mb、SDR SDRAM、x16、166MHz、46nm

W9864G6KH-6 DRAM 64Mb、SDR SDRAM、x16、166MHz、46nm 注目の画像
  • W9864G6KH-6 DRAM 64Mb、SDR SDRAM、x16、166MHz、46nm

簡単な説明:

メーカー: ウィンボンド
製品カテゴリ:DRAM
データシート: W9864G6KH-6
説明:IC DRAM 64M パラレル 54TSOP
RoHSステータス: RoHS準拠


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製品詳細

特徴

製品タグ

♠ 製品説明

製品属性 属性値
メーカー: ウィンボンド
製品カテゴリー: メモリ
RoHS指令: 詳細
タイプ: SDRAM
取り付けスタイル: 表面実装
パッケージ/ケース: TSOP-54
データバス幅: 16ビット
組織: 4メートル×16
メモリサイズ: 64メガビット
最大クロック周波数: 166MHz
アクセス時間: 6ナノ秒
供給電圧 - 最大: 3.6V
供給電圧 - 最小: 3V
供給電流 - 最大: 50mA
最低動作温度: 0℃
最大動作温度: + 70℃
シリーズ: W9864G6KH
ブランド: ウィンボンド
湿気に敏感: はい
製品タイプ: メモリ
工場パック数量: 540
サブカテゴリ: メモリとデータストレージ
単位重量: 9.175グラム

♠ 1M ✖ 4バンク ✖ 16ビットSDRAM

W9864G6KHは、1Mワード  4バンク  16ビット構成の高速同期ダイナミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)です。W9864G6KHは、最大200Mワード/秒のデータ帯域幅を提供します。様々なアプリケーションに対応するため、W9864G6KHは-5、-6、-6I、-7の速度グレードで提供されています。-5グレードの製品は最大200MHz/CL3で動作可能です。-6および-6Iグレードの製品は最大166MHz/CL3で動作可能です(-6Iは産業用グレードで、-40°C~85°Cの動作が保証されています)。-7グレードの製品は最大143MHz/CL3で動作し、tRP = 18nSです。

SDRAMへのアクセスはバースト方式です。ACTIVEコマンドでバンクと行を選択すると、1ページ内の連続したメモリアドレスに1、2、4、8、またはフルページのバースト長でアクセスできます。バースト動作中、列アドレスはSDRAM内部のカウンタによって自動的に生成されます。また、各クロックサイクルでアドレスを指定することにより、ランダム列読み出しも可能です。

マルチバンク構造により、内部バンク間のインターリーブが可能になり、プリチャージ時間を隠蔽できます。プログラム可能なモードレジスタにより、システムはバースト長、レイテンシサイクル、インターリーブ、またはシーケンシャルバーストを変更してパフォーマンスを最大限に高めることができます。W9864G6KHは、高性能アプリケーションのメインメモリに最適です。


  • 前の: VNH5019ATR-E モーター/モーション/イグニッション コントローラー & ドライバー 車載用 Hブリッジ 18mOhm 30A 41V VCC
  • 次: IPLU300N04S4-R8 MOSFET Nチャネル 30/40V

  • • -5、-6、-6Iスピードグレードの電源の場合、3.3V ± 0.3V

    • -7スピードグレードの電源供給には2.7V~3.6V

    • 最大200MHzのクロック周波数

    • 1,048,576語

    • 4つの銀行

    • 16ビット構成

    • セルフリフレッシュ電流: 標準および低電力

    • CASレイテンシ: 2および3

    • バースト長: 1、2、4、8、フルページ

    • シーケンシャルバーストとインターリーブバースト

    • LDQM、UDQMによって制御されるバイトデータ

    • 自動プリチャージと制御プリチャージ

    • バースト読み取り、シングル書き込みモード

    • 4Kリフレッシュサイクル/64ミリ秒

    • インターフェース: LVTTL

    • RoHS準拠の鉛フリー素材を使用したTSOP II 54ピン、400ミルパッケージ

     

     

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