W9864G6KH-6 DRAM 64Mb、SDR SDRAM、x16、166MHz、46nm
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | ウィンボンド |
| 製品カテゴリ： | DRAM |
| RoHS: | 詳細 |
| タイプ： | SDRAM |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | TSOP-54 |
| データバス幅: | 16ビット |
| 組織： | 4M×16 |
| メモリー容量： | 64メガビット |
| 最大クロック周波数: | 166MHz |
| アクセス時間： | 6ns |
| 供給電圧 - 最大: | 3.6V |
| 供給電圧 - 最小: | 3V |
| 供給電流 - 最大: | 50ミリアンペア |
| 最低動作温度: | 0℃ |
| 最高動作温度: | + 70℃ |
| シリーズ： | W9864G6KH |
| ブランド： | ウィンボンド |
| 湿気に敏感: | はい |
| 製品の種類： | DRAM |
| 工場パック数量: | 540 |
| サブカテゴリ: | メモリーとデータストレージ |
| 単位重量: | 9.175g |
♠ 1M ✖ 4 バンク ✖ 16 ビット SDRAM
W9864G6KH は、1M ワード 4 バンク 16 ビットで構成された高速シンクロナス ダイナミック ランダム アクセス メモリ (SDRAM) です。W9864G6KH は、毎秒最大 200M ワードのデータ帯域幅を提供します。W9864G6KH は、さまざまな用途向けにスピード グレード -5、-6、-6I、および -7 に分類されています。-5 グレードの部品は、最大 200MHz/CL3 で実行できます。-6 および -6I グレードの部品は、最大 166MHz/CL3 (-40°C ~ 85°C のサポートが保証されている -6I 工業用グレード) まで動作します。-7 グレードの製品は、最大 143MHz/CL3 で動作し、tRP = 18nS です。
SDRAM へのアクセスはバースト指向です。ACTIVE コマンドでバンクと行を選択すると、バースト長 1、2、4、8、またはフル ページで、1 ページ内の連続したメモリ ロケーションにアクセスできます。カラム アドレスは、バースト動作時に SDRAM 内部カウンタによって自動的に生成されます。各クロックサイクルでアドレスを提供することにより、ランダムな列の読み取りも可能です。
複数のバンクの性質により、内部バンク間のインターリーブが可能になり、プリチャージ時間を隠すことができます。プログラム可能なモード レジスタを使用することで、システムはバースト長、レイテンシ サイクル、インターリーブ、またはシーケンシャル バーストを変更して、パフォーマンスを最大化できます。W9864G6KH は、高性能アプリケーションのメイン メモリに最適です。
• -5、-6、および -6I スピード グレード電源用の 3.3V ± 0.3V
• -7 スピード グレード電源用の 2.7V ～ 3.6V
• 最大 200 MHz のクロック周波数
• 1,048,576 語
• 4 バンク
• 16 ビット編成
• セルフリフレッシュ電流: 標準および低消費電力
• CAS レイテンシ: 2 および 3
• バースト長: 1、2、4、8、および全ページ
• シーケンシャルおよびインターリーブ バースト
• LDQM、UDQM によって制御されるバイト データ
• 自動プリチャージと制御プリチャージ
• バースト読み取り、シングル書き込みモード
• 4K リフレッシュ サイクル/64 ミリ秒
• インターフェース: LVTTL
• TSOP II 54 ピン、400 ミルのパッケージで、RoHS 準拠の鉛フリー材料を使用
