W9864G6KH-6 DRAM 64Mb、SDR SDRAM、x16、166MHz、46nm
♠ 製品説明
製品属性 | 属性値 |
メーカー: | ウィンボンド |
製品カテゴリー: | メモリ |
RoHS指令: | 詳細 |
タイプ: | SDRAM |
取り付けスタイル: | 表面実装 |
パッケージ/ケース: | TSOP-54 |
データバス幅: | 16ビット |
組織: | 4メートル×16 |
メモリサイズ: | 64メガビット |
最大クロック周波数: | 166MHz |
アクセス時間: | 6ナノ秒 |
供給電圧 - 最大: | 3.6V |
供給電圧 - 最小: | 3V |
供給電流 - 最大: | 50mA |
最低動作温度: | 0℃ |
最大動作温度: | + 70℃ |
シリーズ: | W9864G6KH |
ブランド: | ウィンボンド |
湿気に敏感: | はい |
製品タイプ: | メモリ |
工場パック数量: | 540 |
サブカテゴリ: | メモリとデータストレージ |
単位重量: | 9.175グラム |
♠ 1M ✖ 4バンク ✖ 16ビットSDRAM
W9864G6KHは、1Mワード 4バンク 16ビット構成の高速同期ダイナミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)です。W9864G6KHは、最大200Mワード/秒のデータ帯域幅を提供します。様々なアプリケーションに対応するため、W9864G6KHは-5、-6、-6I、-7の速度グレードで提供されています。-5グレードの製品は最大200MHz/CL3で動作可能です。-6および-6Iグレードの製品は最大166MHz/CL3で動作可能です(-6Iは産業用グレードで、-40°C~85°Cの動作が保証されています)。-7グレードの製品は最大143MHz/CL3で動作し、tRP = 18nSです。
SDRAMへのアクセスはバースト方式です。ACTIVEコマンドでバンクと行を選択すると、1ページ内の連続したメモリアドレスに1、2、4、8、またはフルページのバースト長でアクセスできます。バースト動作中、列アドレスはSDRAM内部のカウンタによって自動的に生成されます。また、各クロックサイクルでアドレスを指定することにより、ランダム列読み出しも可能です。
マルチバンク構造により、内部バンク間のインターリーブが可能になり、プリチャージ時間を隠蔽できます。プログラム可能なモードレジスタにより、システムはバースト長、レイテンシサイクル、インターリーブ、またはシーケンシャルバーストを変更してパフォーマンスを最大限に高めることができます。W9864G6KHは、高性能アプリケーションのメインメモリに最適です。
• -5、-6、-6Iスピードグレードの電源の場合、3.3V ± 0.3V
• -7スピードグレードの電源供給には2.7V~3.6V
• 最大200MHzのクロック周波数
• 1,048,576語
• 4つの銀行
• 16ビット構成
• セルフリフレッシュ電流: 標準および低電力
• CASレイテンシ: 2および3
• バースト長: 1、2、4、8、フルページ
• シーケンシャルバーストとインターリーブバースト
• LDQM、UDQMによって制御されるバイトデータ
• 自動プリチャージと制御プリチャージ
• バースト読み取り、シングル書き込みモード
• 4Kリフレッシュサイクル/64ミリ秒
• インターフェース: LVTTL
• RoHS準拠の鉛フリー素材を使用したTSOP II 54ピン、400ミルパッケージ