VNS3NV04DPTR-E ゲートドライバ OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | STマイクロエレクトロニクス |
| 製品カテゴリ： | ゲートドライバー |
| RoHS: | 詳細 |
| 製品： | MOSFET ゲート ドライバ |
| タイプ： | ローサイド |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | SOIC-8 |
| ドライバー数: | 2 ドライバー |
| 出力数: | 2 出力 |
| 出力電流: | 5A |
| 供給電圧 - 最大: | 24V |
| 立ち上がり時間： | 250ns |
| 落下時間: | 250ns |
| 最低動作温度: | - 40℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| シリーズ： | VNS3NV04DP-E |
| 資格： | AEC-Q100 |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | STマイクロエレクトロニクス |
| 湿気に敏感: | はい |
| 動作供給電流: | 100uA |
| 製品の種類： | ゲートドライバー |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | PMIC - 電源管理 IC |
| テクノロジー： | Si |
| 単位重量: | 0.005291オンス |
♠ OMNIFET II 完全自動保護パワー MOSFET
VNS3NV04DP-E デバイスは、標準の SO-8 パッケージに収納された 2 つのモノリシック チップ (OMNIFET II) で構成されています。OMNIFET II は、STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 テクノロジを使用して設計されており、最大 50 kHz DC アプリケーションで標準のパワー MOSFET を置き換えることを目的としています。
組み込みのサーマル シャットダウン、線形電流制限、および過電圧クランプにより、過酷な環境でチップを保護します。
入力ピンの電圧を監視することにより、障害フィードバックを検出可能
■ ECOPACK®: 鉛フリーで RoHS 準拠
■ 車載グレード: AEC ガイドラインに準拠
■リニア電流制限
■サーマルシャットダウン
■短絡保護
■一体型クランプ
■ 入力端子からの電流が少ない
■ 入力ピンによる診断フィードバック
■静電気対策
■パワーMOSFETのゲートにダイレクトアクセス（アナログ駆動）
■標準のパワーMOSFETと互換性があります
