VNS1NV04DPTR-E ゲートドライバ OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | STマイクロエレクトロニクス |
| 製品カテゴリ： | ゲートドライバー |
| 製品： | MOSFET ゲート ドライバ |
| タイプ： | ローサイド |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | SOIC-8 |
| ドライバー数: | 2 ドライバー |
| 出力数: | 2 出力 |
| 出力電流: | 1.7A |
| 供給電圧 - 最大: | 24V |
| 立ち上がり時間： | 500ns |
| 落下時間: | 600ns |
| 最低動作温度: | - 40℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| シリーズ： | VNS1NV04DP-E |
| 資格： | AEC-Q100 |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | STマイクロエレクトロニクス |
| 湿気に敏感: | はい |
| 動作供給電流: | 150uA |
| 製品の種類： | ゲートドライバー |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | PMIC - 電源管理 IC |
| テクノロジー： | Si |
| 単位重量: | 0.005291オンス |
♠ OMNIFET II 完全自動保護パワー MOSFET
VNS1NV04DP-E は、標準の SO-8 パッケージに収納された 2 つのモノリシック OMNIFET II チップで構成されるデバイスです。OMNIFET II は、STMicroelectronics VIPower™ M0-3 テクノロジで設計されています。これらは、DC から最大 50KHz のアプリケーションまでの標準パワー MOSFET の置き換えを目的としています。組み込みのサーマル シャットダウン、線形電流制限、および過電圧クランプにより、過酷な環境でチップを保護します。
入力ピンの電圧を監視することで、障害フィードバックを検出できます。
• 線形電流制限
• サーマルシャットダウン
• 短絡保護
• 一体型クランプ
• 入力ピンから引き出される低電流
• 入力ピンによる診断フィードバック
•ESD保護
•パワーMOSFETのゲートへの直接アクセス（アナログ駆動）
・標準パワーMOSFETに対応
• 2002/95/EC 欧州指令に準拠
