VNS1NV04DPTR-E ゲートドライバ OMNIFET パワー MOSFET 40V 1.7 A
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | STマイクロエレクトロニクス |
| 製品カテゴリー: | ゲートドライバ |
| 製品： | MOSFETゲートドライバ |
| タイプ： | ローサイド |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | SOIC-8 |
| ドライバー数: | 2 ドライバー |
| 出力数: | 2出力 |
| 出力電流: | 1.7A |
| 供給電圧 - 最大: | 24V |
| 立ち上がり時間: | 500ナノ秒 |
| 落下時間: | 600ナノ秒 |
| 最低動作温度: | - 40℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| シリーズ： | VNS1NV04DP-E |
| 資格： | AEC-Q100 |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | STマイクロエレクトロニクス |
| 湿気に敏感: | はい |
| 動作電源電流: | 150 uA |
| 製品タイプ: | ゲートドライバ |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | PMIC - 電源管理IC |
| テクノロジー： | Si |
| 単位重量: | 0.005291オンス |
♠ OMNIFET II 完全自動保護パワーMOSFET
VNS1NV04DP-Eは、標準SO-8パッケージに収められた2つのモノリシックOMNIFET IIチップで構成されるデバイスです。OMNIFET IIはSTMicroelectronics社のVIPower™ M0-3テクノロジーを採用しており、DC～50kHzのアプリケーションにおいて、標準的なパワーMOSFETの置き換えに最適です。サーマルシャットダウン、リニア電流制限、過電圧クランプを内蔵し、過酷な環境下でもチップを保護します。
入力ピンの電圧を監視することで障害フィードバックを検出できます。
• 線形電流制限
• サーマルシャットダウン
• 短絡保護
• 一体型クランプ
• 入力ピンから引き出される電流が低い
• 入力ピンを介した診断フィードバック
• ESD保護
• パワーMOSFETのゲートへの直接アクセス（アナログ駆動）
• 標準パワーMOSFETと互換性あり
• 2002/95/EC欧州指令に準拠
