VNLD5090TR-E ゲート ドライバ OMNIFET III はローサイド ドライバを完全に保護します
♠商品説明
商品属性 | 属性値 |
メーカー: | STマイクロエレクトロニクス |
製品カテゴリ: | ゲートドライバー |
RoHS: | 詳細 |
製品: | ドライバーIC - 各種 |
タイプ: | ローサイド |
取り付けスタイル: | SMD/SMT |
パッケージ/ケース: | SOIC-8 |
ドライバー数: | 1 ドライバー |
出力数: | 2 出力 |
出力電流: | 18A |
供給電圧 - 最小: | 4.5V |
供給電圧 - 最大: | 5.5V |
立ち上がり時間: | 10us |
落下時間: | 2.7us |
最低動作温度: | - 40℃ |
最高動作温度: | + 150℃ |
シリーズ: | VNLD5090-E |
資格: | AEC-Q100 |
包装: | リール |
包装: | カットテープ |
包装: | マウスリール |
ブランド: | STマイクロエレクトロニクス |
最大ターンオフ遅延時間: | 3.4us |
最大ターンオン遅延時間: | 8us |
湿気に敏感: | はい |
動作供給電流: | 30uA |
製品の種類: | ゲートドライバー |
Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 90ミリオーム |
シャットダウン: | シャットダウン |
工場パック数量: | 2500 |
サブカテゴリ: | PMIC - 電源管理 IC |
テクノロジー: | Si |
単位重量: | 150mg |
♠ OMNIFET III 完全に保護された車載アプリケーション用ローサイド ドライバ
VNLD5090-E は、STMicroelectronics® VIPower® テクノロジを使用して製造されたモノリシック デバイスで、片側がバッテリに接続された抵抗性負荷または誘導性負荷を駆動することを目的としています。組み込みのサーマル シャットダウンにより、過熱や短絡からチップを保護します。出力電流制限により、過負荷状態でデバイスが保護されます。長時間の過負荷の場合、デバイスは消費電力をサーマル シャットダウン介入までの安全なレベルに制限します。自動再起動によるサーマル シャットダウンにより、障害状態が解消されるとすぐに、デバイスは通常の動作を回復できます。ターンオフ時に誘導性負荷の高速消磁が実現されます。
·AEC-Q100 認定
·ドレイン電流:13A
·ESD 保護
·過電圧クランプ
·サーマルシャットダウン
·電流と電力の制限
·非常に低いスタンバイ電流
·非常に低い電磁感受性
·2002/95/EC 欧州指令に準拠