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VNL5030JTR-E ゲートドライバ OMNIFET III ドライバ ローサイド ESD VIPower

VNL5030JTR-E ゲートドライバ OMNIFET III ドライバ ローサイド ESD VIPower 注目の画像
  • VNL5030JTR-E ゲートドライバ OMNIFET III ドライバ ローサイド ESD VIPower

簡単な説明:

メーカー: STマイクロエレクトロニクス
製品カテゴリー: PMIC - 電力分配スイッチ、負荷ドライバ
データシート:VNL5030JTR-E
説明: IC DVR LOW SIDE POWERSSO-12
RoHSステータス: RoHS準拠


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製品詳細

特徴

製品タグ

♠ 製品説明

製品属性 属性値
メーカー: STマイクロエレクトロニクス
製品カテゴリー: ゲートドライバ
シリーズ: VNL5030J-E
資格: AEC-Q100
パッケージ: リール
パッケージ: カットテープ
パッケージ: マウスリール
ブランド: STマイクロエレクトロニクス
湿気に敏感: はい
製品タイプ: ゲートドライバ
工場パック数量: 2500
サブカテゴリ: PMIC - 電源管理IC
テクノロジー: Si
単位重量: 0.004004オンス

♠ OMNIFET III 完全保護ローサイドドライバ

VNL5030J-EおよびVNL5030S5-Eは、STMicroelectronics®のVIPower®テクノロジーを採用したモノリシックデバイスで、片側をバッテリーに接続した抵抗性負荷または誘導性負荷を駆動するように設計されています。内蔵のサーマルシャットダウン機能は、チップを過熱や短絡から保護します。出力電流制限機能は、過負荷状態からデバイスを保護します。長時間の過負荷状態が発生した場合、デバイスはサーマルシャットダウンが介入するまで、消費電力を安全なレベルに制限します。自動再起動機能を備えたサーマルシャットダウン機能により、障害状態が解消されるとすぐにデバイスは通常の動作に復帰します。また、電源オフ時に誘導性負荷を迅速に消磁します。


  • 前の: TLE9262BQXV33XUMA1 電源管理専用PMIC ボディシステムIC
  • 次: LPC1850FET180,551 ARMマイクロコントローラ – MCU Cortex-M3 200kB SRAM 200kB SRAM

  • • 自動車業界向け認定
    • ドレイン電流: 25 A
    • ESD保護
    • 過電圧クランプ
    • サーマルシャットダウン
    • 電流と電力の制限
    • 非常に低いスタンバイ電流
    • 非常に低い電磁感受性
    • 欧州指令2002/95/ECに準拠
    • オープンドレインステータス出力

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