VNB35NV04TR-E パワースイッチ IC – 電力分配 N チャネル 70V 35A オムニFET
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | STマイクロエレクトロニクス |
| 製品カテゴリー: | パワースイッチIC - 電力分配 |
| タイプ： | ローサイド |
| 出力数: | 1出力 |
| 電流制限: | 30 A |
| オン抵抗 - 最大: | 13ミリオーム |
| 時間通り - 最大: | 500ナノ秒 |
| オフタイム - 最大: | 3人 |
| 動作電源電圧: | 24V |
| 最低動作温度: | - 40℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | D2PAK-2 |
| シリーズ： | VNB35NV04-E |
| 資格： | AEC-Q100 |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | STマイクロエレクトロニクス |
| 湿気に敏感: | はい |
| Pd - 消費電力: | 125ワット |
| 製品： | 負荷スイッチ |
| 製品タイプ: | パワースイッチIC - 電力分配 |
| 工場パック数量: | 1000 |
| サブカテゴリ: | スイッチIC |
| 単位重量: | 0.066315オンス |
♠ OMNIFET II: 完全自動保護パワーMOSFET
VNB35NV04-E、VNP35NV04-E、および VNV35NV04-E は、STMicroelectronics® VIPower® M0-3 テクノロジーで設計されたモノリシック デバイスであり、DC から 25 kHz までのアプリケーションの標準パワー MOSFET の置き換えを目的としています。
内蔵のサーマルシャットダウン、リニア電流制限、過電圧クランプにより、過酷な環境下でもチップを保護します。入力ピンの電圧を監視することで、障害フィードバックを検出できます。
• 線形電流制限
• サーマルシャットダウン
• 短絡保護
• 一体型クランプ
• 入力ピンから引き出される電流が低い
• 入力ピンを介した診断フィードバック
• ESD保護
• パワーMOSFETのゲートへの直接アクセス（アナログ駆動）
• 標準パワーMOSFETと互換性あり
