TPS53659RSBR 電源管理特化型 4+1/3+2 デュアルチャネル VR13 D-CAP+&trade ステップダウン マルチフェーズ コントローラ NVM および PMBus 付き 40-WQFN
♠ 製品説明
♠ TPS53659 デュアルチャネル (4 相 + 1 相) または (3 相 + 2 相) D-CAP+™ ステップダウン マルチフェーズ コントローラ、NVM および PMBus™ 搭載、VR13 サーバー メモリ用
TPS53659は、デュアルチャネル、内蔵不揮発性メモリ（NVM）、およびPMBus™インターフェイスを備えたVR13 SVIDに完全準拠した降圧コントローラで、TI NexFET™パワーステージと完全に互換性があります。アンダーシュート低減（USR）を備えたD-CAP+™アーキテクチャなどの高度な制御機能により、高速過渡応答、低出力容量、優れた電流共有が実現します。また、このデバイスは、さまざまな負荷での効率向上のために、新しい位相インターリーブ戦略と動的位相シェディングも提供します。VCOREスルーレートと電圧ポジショニングの調整可能な制御は、Intel®の機能をすべて備えています。さらに、このデバイスは、電圧、電流、電力、温度、および障害状態のテレメトリをシステムに報告するためのPMBus通信インターフェイスをサポートしています。すべてのプログラム可能なパラメータは、PMBusインターフェイスによって構成でき、新しいデフォルト値としてNVMに保存して、外付け部品数を最小限に抑えることができます。
TPS53659 デバイスは、熱特性を強化した 40 ピン WQFN パッケージで提供され、-40°C ～ 125°C で動作するように定格されています。
• デジタル入力電力モニタを含む完全なVR13サーバ機能セット
• プログラム可能なループ補償
• 不揮発性メモリ（NVM）で設定可能外部部品数が少ない
• 個々の相電流の校正とレポート
• プログラマブルなダイナミックフェーズシェディング光効率を最適化するための電流閾値重い荷物
• アンダーシュート低減のための高速位相加算（USR）
• VR12.0およびVR12.5との下位互換性
• 5 mVまたは10 mVを選択可能な8ビットDAC分解能と出力範囲は0.25V～デュアルチャネルの場合、1.52 Vまたは0.5 V～2.8125 V
• 効率的な高周波スイッチングのためのドライバーレス構成
• TI NextFET™パワーステージと完全互換高密度ソリューション向け
• 正確で調整可能な電圧ポジショニング
• 閉ループ周波数による周波数選択制御: 300 kHz ～ 1 MHz
• 特許取得済みのAutoBalance™位相バランス
• 選択可能な16段階の相別電流制限
• PMBus™システムインターフェース（テレメトリ用）電圧、電流、電力、温度、および障害条件
• ダイナミック出力電圧遷移SVIDまたはPMBus経由でプログラム可能なスルーレートインタフェース
• 変換電圧範囲: 4.5 V～17 V
• 低静止電流
• 5 mm × 5 mm、40ピン、WQFN PowerPad™パッケージ
• サーバーおよび通信アプリケーションのVR13メモリパワー
• ASICにはデュアル電源レールが必要
• 高性能プロセッサパワー
