TPS53659RSBR 電源管理に特化した 4+1/3+2 デュアルチャネル VR13 D-CAP+&trade NVM および PMBus 付き降圧多相コントローラ 40-WQFN
♠商品説明
♠ TPS53659 デュアルチャネル (4 相 + 1 相) または (3 相 + 2 相) D-CAP+™ 降圧マルチフェーズ コントローラ、VR13 サーバー メモリ用の NVM および PMBus™ 付き
TPS53659 は、VR13 SVID に完全に準拠したステップダウン コントローラで、デュアル チャネル、内蔵不揮発性メモリ (NVM)、および PMBus™ インターフェイスを備え、TI NexFET™ パワー ステージと完全に互換性があります。アンダーシュート低減 (USR) を備えた D-CAP+™ アーキテクチャなどの高度な制御機能により、高速過渡応答、低出力容量、優れた電流共有が実現されます。また、このデバイスは、さまざまな負荷で効率を改善するために、新しい位相インターリーブ戦略と動的位相シェディングを提供します。VCORE スルー レートと電圧ポジショニングの調整可能な制御は、Intel® 機能を完成させます。さらに、このデバイスは、電圧、電流、電力、温度、および障害状態のテレメトリをシステムに報告するための PMBus 通信インターフェイスをサポートしています。すべてのプログラマブル パラメータは、PMBus インターフェイスによって設定でき、外部コンポーネントの数を最小限に抑えるために、新しいデフォルト値として NVM に保存できます。
TPS53659 デバイスは、熱的に強化された 40 ピン WQFN パッケージで提供され、–40°C ~ 125°C で動作する定格です。
• デジタル入力電力モニターを含む完全な VR13 サーバー機能セット
• プログラム可能なループ補償
• 不揮発性メモリ (NVM) で構成可能外付け部品数が少ない
• 個々の相電流の校正とレポート
• プログラム可能なダイナミック フェーズ シェディング光で効率を最適化するための電流しきい値および重負荷
• アンダーシュート低減のための高速位相追加(ソ連)
• VR12.0 および VR12.5 の後方互換性
• 5 mV または 10 mV を選択可能な 8 ビット DAC0.25 V ~ 0.25 V の分解能と出力範囲デュアルチャンネルで 1.52 V または 0.5 V ~ 2.8125 V
• 効率的な高周波スイッチングのための無人構成
• TI NextFET™パワーステージと完全互換高密度ソリューション向け
• 正確で調整可能な電圧ポジショニング
• 閉ループ周波数による周波数選択コントロール:300kHz~1MHz
• 特許取得済みの AutoBalance™ フェーズ バランシング
• 選択可能な 16 レベルのフェーズごとの電流制限
• テレメトリ用の PMBus™ システム インターフェイス電圧、電流、電力、温度、およびフォルト条件
• 動的出力電圧遷移SVIDまたはPMBusを介してプログラム可能なスルーレートインターフェース
• 変換電圧範囲: 4.5 V ~ 17 V
• 低静止電流
• 5mm×5mm、40ピン、WQFN PowerPad™パッケージ
• サーバーおよびテレコム アプリケーションの VR13 メモリ能力
• ASIC にはデュアル電源レールが必要
• 高性能プロセッサーパワー