STD35P6LLF6 MOSFET Pチャネル 60V 0.025Ohm typ 35A STripFET F6パワーMOSFET
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | STマイクロエレクトロニクス |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | TO-252-3 |
| トランジスタ極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 60V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 35A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 28ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 1V |
| Qg - ゲートチャージ: | 30nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 175℃ |
| Pd - 消費電力: | 70W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 商標名： | STripFET |
| シリーズ： | STD35P6LLF6 |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | STマイクロエレクトロニクス |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 21ns |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 39ns |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 PチャネルパワーMOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 171ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 51.4ns |
| 単位重量: | 0.011640オンス |
♠ STD35P6LLF6 P チャネル 60 V、0.025 Ω typ.、35 A DPAK パッケージの STripFET™ F6 パワー MOSFET
このデバイスは、STripFET™ F6 テクノロジを使用して開発された、新しいトレンチ ゲート構造を持つ P チャネル パワー MOSFET です。結果として得られるパワー MOSFET は、すべてのパッケージで非常に低い RDS(on) を示します。
非常に低いオン抵抗
非常に低いゲートチャージ
高い雪崩耐久性
低ゲート駆動電力損失
アプリケーションの切り替え
