SQM50034EL_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60V (DS) 175C MOSFET
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | ビシェイ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 60V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 100A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 3.2ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 2V |
| Qg - ゲートチャージ: | 60nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 175℃ |
| Pd - 消費電力: | 150W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 商標名： | トレンチFET |
| ブランド： | ビシェイ / シリコニクス |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 7ns |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 7ns |
| シリーズ： | SQ |
| 工場パック数量: | 800 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 33ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 15ns |
| 単位重量: | 0.139332 オンス |
•TrenchFET®パワーMOSFET
• 低熱抵抗のパッケージ
• 100 % Rg および UIS テスト済み
• AEC-Q101 認定済み
