SQM50034EL_GE3 MOSFET N チャネル 60 V (DS) 175C MOSFET
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | ビシェイ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS指令: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3 |
| トランジスタの極性: | Nチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 60V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 100 A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 3.2ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 2V |
| Qg - ゲート電荷: | 60nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 175℃ |
| Pd - 消費電力: | 150ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 商号: | トレンチFET |
| ブランド： | ビシェイ / シリコニクス |
| 構成： | シングル |
| 落下時間: | 7ナノ秒 |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 7ナノ秒 |
| シリーズ： | SQ |
| 工場パック数量: | 800 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 33ナノ秒 |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 15ナノ秒 |
| 単位重量: | 0.139332オンス |
• TrenchFET®パワーMOSFET
• 低熱抵抗パッケージ
• 100% RgおよびUISテスト済み
• AEC-Q101認定
