SQJ951EP-T1_GE3 MOSFET デュアル Pチャネル 30V AEC-Q101 認定
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | ビシェイ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | パワーパック-SO-8-4 |
| トランジスタの極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 2チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 30V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 30 A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 14ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 2.5V |
| Qg - ゲート電荷: | 50nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 175℃ |
| Pd - 消費電力: | 56ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 商号: | トレンチFET |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | デュアル |
| 落下時間: | 28ナノ秒 |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 12ナノ秒 |
| シリーズ： | SQ |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 2 Pチャネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 39ナノ秒 |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 12ナノ秒 |
| 部品番号別名: | SQJ951EP-T1_BE3 |
| 単位重量: | 0.017870オンス |
• ハロゲンフリー IEC 61249-2-21定義に準拠
• TrenchFET®パワーMOSFET
• AEC-Q101認定
• 100% RgおよびUISテスト済み
• RoHS指令2002/95/ECに準拠
