SIA427ADJ-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

簡単な説明:

メーカー: ビシェイ
製品カテゴリ:MOSFET
データシート:SIA427ADJ-T1-GE3
説明:MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
RoHS ステータス: RoHS 準拠


製品の詳細

特徴

アプリケーション

製品タグ

♠商品説明

商品属性 属性値
メーカー: ビシェイ
製品カテゴリ: MOSFET
RoHS: 詳細
テクノロジー: Si
取り付けスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SC-70-6
トランジスタ極性: Pチャネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: 8V
Id - 連続ドレイン電流: 12A
Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: 95ミリオーム
Vgs - ゲート-ソース間電圧: -5V、+5V
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: 800mV
Qg - ゲートチャージ: 50nC
最低動作温度: - 55℃
最高動作温度: + 150℃
Pd - 消費電力: 19W
チャネル モード: 強化
商標名: トレンチFET
包装: リール
包装: カットテープ
包装: マウスリール
ブランド: ビシェイ・セミコンダクターズ
構成: 独身
製品の種類: MOSFET
シリーズ: SIA
工場パック数量: 3000
サブカテゴリ: MOSFET
単位重量: 82.330mg

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  • •TrenchFET®パワーMOSFET

    • 熱的に強化された PowerPAK® SC-70 パッケージ

    – 小さな設置面積

    – 低オン抵抗

    • 100 % Rg テスト済み

    • ポータブルおよびハンドヘルド デバイス用の 1.2 V 電源ライン用のロード スイッチ

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