SIA427ADJ-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | ビシェイ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS指令: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | SC-70-6 |
| トランジスタの極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 8V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 12 A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 95ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -5V、+5V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 800 mV |
| Qg - ゲート電荷: | 50nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 19 W |
| チャネルモード: | 強化 |
| 商号: | トレンチFET |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | シングル |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| シリーズ： | SIA |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| 単位重量: | 82.330 mg |
• TrenchFET®パワーMOSFET
• 熱強化されたPowerPAK® SC-70パッケージ
– 小さな設置面積
– 低オン抵抗
• 100% Rgテスト済み
• ポータブルおよびハンドヘルドデバイス用の1.2 V電源ライン用負荷スイッチ
