SI7461DP-T1-GE3 MOSFET -60V Vds 20V Vgs パワーパック SO-8
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | ビシェイ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS指令: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | SOIC-8 |
| トランジスタの極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 30V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 5.7A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 42ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -10V、+10V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 1V |
| Qg - ゲート電荷: | 24nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 2.5ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 商号: | トレンチFET |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | シングル |
| 落下時間: | 30ナノ秒 |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 13 S |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 42ナノ秒 |
| シリーズ： | SI9 |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1 Pチャネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 30ナノ秒 |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 14ナノ秒 |
| 部品番号別名: | SI9435BDY-E3 |
| 単位重量: | 750mg |
• TrenchFET®パワーMOSFET
• 低熱抵抗PowerPAK®パッケージ（厚さ1.07 mm、EC）
