SI7461DP-T1-GE3 MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | ビシェイ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | SOIC-8 |
| トランジスタ極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 30V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 5.7A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 42ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -10V、+10V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 1V |
| Qg - ゲートチャージ: | 24nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 2.5W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 商標名： | トレンチFET |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 30ns |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 13 S |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 42ns |
| シリーズ： | SI9 |
| 工場パック数量: | 2500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 Pチャネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 30ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 14ns |
| パーツ # エイリアス: | SI9435BDY-E3 |
| 単位重量: | 750mg |
• TrenchFET® パワー MOSFET
• 1.07 mm の低プロファイル EC を備えた低熱抵抗 PowerPAK® パッケージ
