SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | ビシェイ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | PowerPAK-1212-8 |
| トランジスタ極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 200V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 3.8A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 1.05オーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 2V |
| Qg - ゲートチャージ: | 25nC |
| 最低動作温度: | - 50℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 52W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 商標名： | トレンチFET |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 12ns |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 4 S |
| 身長： | 1.04mm |
| 長さ： | 3.3mm |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 11ns |
| シリーズ： | SI7 |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 Pチャネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 27ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 9ns |
| 幅： | 3.3mm |
| パーツ # エイリアス: | SI7119DN-GE3 |
| 単位重量: | 1g |
• IEC 61249-2-21 に準拠したハロゲンフリーが利用可能
•TrenchFET®パワーMOSFET
• 小型で低背の 1.07 mm の低熱抵抗 PowerPAK® パッケージ
• 100 % UIS および Rg テスト済み
• 中間 DC/DC 電源のアクティブ クランプ
