SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | ビシェイ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS指令: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | パワーパック-1212-8 |
| トランジスタの極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 200V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 3.8A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 1.05オーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 2V |
| Qg - ゲート電荷: | 25nC |
| 最低動作温度: | - 50℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 52ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 商号: | トレンチFET |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | シングル |
| 落下時間: | 12ナノ秒 |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 4S |
| 身長： | 1.04ミリメートル |
| 長さ： | 3.3ミリメートル |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 11ナノ秒 |
| シリーズ： | SI7 |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1 Pチャネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 27ナノ秒 |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 9ナノ秒 |
| 幅： | 3.3ミリメートル |
| 部品番号別名: | SI7119DN-GE3 |
| 単位重量: | 1グラム |
• ハロゲンフリー IEC 61249-2-21準拠
• TrenchFET®パワーMOSFET
• 小型で薄型（1.07 mm）の低熱抵抗PowerPAK®パッケージ
• 100% UISおよびRgテスト済み
• 中間DC/DC電源におけるアクティブクランプ
