SI3417DV-T1-GE3 MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | ビシェイ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS指令: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | TSOP-6 |
| トランジスタの極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 30V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 8A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 36ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 3V |
| Qg - ゲート電荷: | 50nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 4.2ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 商号: | トレンチFET |
| シリーズ： | SI3 |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | シングル |
| 身長： | 1.1ミリメートル |
| 長さ： | 3.05ミリメートル |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| 幅： | 1.65ミリメートル |
| 単位重量: | 0.000705オンス |
• TrenchFET®パワーMOSFET
• 100% RgおよびUISテスト済み
• 材料の分類：
コンプライアンスの定義については、データシートを参照してください。
• 負荷スイッチ
• アダプタスイッチ
• DC/DCコンバータ
• モバイルコンピューティング/コンシューマー向け
