SI3417DV-T1-GE3 MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | ビシェイ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | TSOP-6 |
| トランジスタ極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 30V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 8A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 36ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 3V |
| Qg - ゲートチャージ: | 50nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 4.2W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 商標名： | トレンチFET |
| シリーズ： | SI3 |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | 独身 |
| 身長： | 1.1mm |
| 長さ： | 3.05mm |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| 幅： | 1.65mm |
| 単位重量: | 0.000705オンス |
•TrenchFET®パワーMOSFET
• 100 % Rg および UIS テスト済み
• 材料の分類:
コンプライアンスの定義については、データシートを参照してください。
• 負荷スイッチ
• アダプタ スイッチ
• DC/DC コンバーター
• モバイル コンピューティング/消費者向け
