SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | ビシェイ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | SOT-23-3 |
| トランジスタ極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 8V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 5.8A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 35ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -8V、+8V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 1V |
| Qg - ゲートチャージ: | 12nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 1.7W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 商標名： | トレンチFET |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 10ns |
| 身長： | 1.45mm |
| 長さ： | 2.9mm |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 20ns |
| シリーズ： | SI2 |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 Pチャネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 40ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 20ns |
| 幅： | 1.6mm |
| パーツ # エイリアス: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| 単位重量: | 0.000282オンス |
• IEC 61249-2-21 定義に準拠したハロゲンフリー
•TrenchFET®パワーMOSFET
• 100 % Rg テスト済み
• RoHS 指令 2002/95/EC に準拠
• 携帯機器用ロードスイッチ
• DC/DC コンバーター
