SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | ビシェイ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | SOT-23-3 |
| トランジスタの極性: | Pチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 8V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 5.8A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 35ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -8V、+8V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 1V |
| Qg - ゲート電荷: | 12nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 1.7ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 商号: | トレンチFET |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | シングル |
| 落下時間: | 10ナノ秒 |
| 身長： | 1.45ミリメートル |
| 長さ： | 2.9ミリメートル |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 20ナノ秒 |
| シリーズ： | SI2 |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1 Pチャネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 40ナノ秒 |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 20ナノ秒 |
| 幅： | 1.6ミリメートル |
| 部品番号別名: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| 単位重量: | 0.000282オンス |
• ハロゲンフリー IEC 61249-2-21定義に準拠
• TrenchFET®パワーMOSFET
• 100% RGテスト済み
• RoHS指令2002/95/ECに準拠
• ポータブル機器用負荷スイッチ
• DC/DCコンバータ
