SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P ペア
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | ビシェイ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS指令: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | SC-89-6 |
| トランジスタの極性: | Nチャネル、Pチャネル |
| チャンネル数: | 2チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 60V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 500mA |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 1.4オーム、4オーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 1V |
| Qg - ゲート電荷: | 750 pC、1.7 nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 280ミリワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 商号: | トレンチFET |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | デュアル |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 200ミリ秒、100ミリ秒 |
| 身長： | 0.6ミリメートル |
| 長さ： | 1.66ミリメートル |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| シリーズ： | SI1 |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | Nチャネル1個、Pチャネル1個 |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 20ns、35ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 15ns、20ns |
| 幅： | 1.2ミリメートル |
| 部品番号別名: | SI1029X-GE3 |
| 単位重量: | 32mg |
• ハロゲンフリー IEC 61249-2-21定義に準拠
• TrenchFET® パワーMOSFET
• 非常に小さなフットプリント
• ハイサイドスイッチング
• 低オン抵抗：
Nチャネル、1.40Ω
Pチャンネル、4Ω
• 低しきい値: ± 2 V (標準)
• 高速スイッチング速度：15 ns（標準）
• ゲート・ソース間ESD保護：2000 V
• RoHS指令2002/95/ECに準拠
• デジタルトランジスタ、レベルシフタの交換
• バッテリー駆動システム
• 電源コンバータ回路
