SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P ペア
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | ビシェイ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | SC-89-6 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル、Pチャンネル |
| チャンネル数: | 2チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 60V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 500ミリアンペア |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 1.4オーム、4オーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 1V |
| Qg - ゲートチャージ: | 750pC、1.7nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 280mW |
| チャネル モード: | 強化 |
| 商標名： | トレンチFET |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | ビシェイ・セミコンダクターズ |
| 構成： | デュアル |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 200ミリ秒、100ミリ秒 |
| 身長： | 0.6mm |
| 長さ： | 1.66mm |
| 製品の種類： | MOSFET |
| シリーズ： | SI1 |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 N チャネル、1 P チャネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 20ns、35ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 15ns、20ns |
| 幅： | 1.2mm |
| パーツ # エイリアス: | SI1029X-GE3 |
| 単位重量: | 32mg |
• IEC 61249-2-21 定義に準拠したハロゲンフリー
• TrenchFET® パワー MOSFET
• フットプリントが非常に小さい
• ハイサイドスイッチング
• 低オン抵抗:
Nチャンネル、1.40Ω
Pチャンネル、4Ω
• 低しきい値: ± 2 V (標準)
• 高速スイッチング速度: 15 ns (標準)
• ゲート-ソース ESD 保護: 2000 V
• RoHS 指令 2002/95/EC に準拠
• デジタルトランジスタ、レベルシフターの交換
• 電池式システム
• 電源コンバータ回路
