NVR4501NT1G MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
♠ 製品説明
製品属性 | 属性値 |
メーカー: | オンセミ |
製品カテゴリー: | MOSFET |
RoHS指令: | 詳細 |
テクノロジー: | Si |
取り付けスタイル: | 表面実装 |
パッケージ/ケース: | SOT-23-3 |
トランジスタの極性: | Nチャネル |
チャンネル数: | 1チャンネル |
Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 20V |
Id - 連続ドレイン電流: | 3.2 A |
Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 80ミリオーム |
Vgs - ゲート-ソース電圧: | - 12V、+ 12V |
Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 650 mV |
Qg - ゲート電荷: | 2.4nC |
最低動作温度: | - 55℃ |
最大動作温度: | + 150℃ |
Pd - 消費電力: | 1.25ワット |
チャネルモード: | 強化 |
資格: | AEC-Q101 |
パッケージ: | リール |
パッケージ: | カットテープ |
パッケージ: | マウスリール |
ブランド: | オンセミ |
構成: | シングル |
落下時間: | 3ナノ秒 |
順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 9S |
製品タイプ: | MOSFET |
立ち上がり時間: | 12ナノ秒 |
シリーズ: | NTR4501 |
工場パック数量: | 3000 |
サブカテゴリ: | MOSFET |
トランジスタタイプ: | 1 Nチャネル |
標準的なターンオフ遅延時間: | 12ナノ秒 |
標準的なターンオン遅延時間: | 6.5ナノ秒 |
単位重量: | 0.000282オンス |
• 低ゲート電荷/高速スイッチングを実現する最先端のプレーナ技術
• 低電圧ゲートドライブ用2.5 V定格
• 小型フットプリントのSOT−23表面実装
• 自動車やその他のアプリケーションでNVRを必要とする場合のプレフィックス固有のサイトおよび管理変更要件; AEC−Q101資格がありPPAPに対応可能
• これらのデバイスは鉛フリーでRoHSに準拠しています
• ポータブル機器用負荷/電源スイッチ
• コンピューティング用の負荷/電源スイッチ
• DC−DC変換