NTMFS5C628NLT1G MOSFET トレンチ 6 60V NFET
♠商品説明
商品属性 | 属性値 |
メーカー: | オンセミ |
製品カテゴリ: | MOSFET |
テクノロジー: | Si |
取り付けスタイル: | SMD/SMT |
パッケージ/ケース: | SO-8FL-4 |
トランジスタ極性: | Nチャンネル |
チャンネル数: | 1チャンネル |
Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 60V |
Id - 連続ドレイン電流: | 150A |
Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 2.4ミリオーム |
Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 1.2V |
Qg - ゲートチャージ: | 52nC |
最低動作温度: | - 55℃ |
最高動作温度: | + 175℃ |
Pd - 消費電力: | 3.7W |
チャネル モード: | 強化 |
包装: | リール |
包装: | カットテープ |
包装: | マウスリール |
ブランド: | オンセミ |
構成: | 独身 |
落下時間: | 70ns |
順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 110S |
製品の種類: | MOSFET |
立ち上がり時間: | 150ns |
工場パック数量: | 1500 |
サブカテゴリ: | MOSFET |
トランジスタの種類: | 1 N チャネル |
標準的なターンオフ遅延時間: | 28ns |
標準的なターンオン遅延時間: | 15ns |
単位重量: | 0.006173オンス |
• コンパクトな設計のための小さなフットプリント (5×6 mm)
• 伝導損失を最小限に抑える低 RDS(on)
• ドライバの損失を最小限に抑えるための低 QG と静電容量
• これらのデバイスは鉛フリーで、RoHS に準拠しています。