NTMFS4C028NT1G MOSFET トレンチ 6 30V NCH
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | オンセミ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| RoHS指令: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | SO-8FL-4 |
| トランジスタの極性: | Nチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 30V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 52 A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 4.73ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 2.2V |
| Qg - ゲート電荷: | 22.2 nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 6ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | オンセミ |
| 構成： | シングル |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| シリーズ： | NTMFS4C028N |
| 工場パック数量: | 1500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| 単位重量: | 0.026455オンス |
• 低RDS(on)で導通損失を最小限に抑えます
• ドライバーの損失を最小限に抑える低容量
• スイッチング損失を最小限に抑えるための最適化されたゲート電荷
• これらのデバイスは鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS準拠です
• CPU電力供給
• DC−DCコンバータ
