NTMFS4C028NT1G MOSFET トレンチ 6 30V NCH
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | オンセミ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | SO-8FL-4 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 30V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 52A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 4.73ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 2.2V |
| Qg - ゲートチャージ: | 22.2nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 6W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | オンセミ |
| 構成： | 独身 |
| 製品の種類： | MOSFET |
| シリーズ： | NTMFS4C028N |
| 工場パック数量: | 1500 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| 単位重量: | 0.026455 オンス |
• 伝導損失を最小限に抑える低 RDS(on)
• ドライバの損失を最小限に抑えるための低容量
• スイッチング損失を最小限に抑える最適化されたゲート電荷
• これらのデバイスは、鉛フリー、ハロゲン フリー/BFR フリーであり、RoHS に準拠しています。
• CPUパワーデリバリー
• DC-DC コンバーター
