NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA

簡単な説明:

メーカー: オン・セミコンダクター

製品カテゴリ: トランジスタ – FET、MOSFET – アレイ

データシート:NTJD5121NT1G

説明: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

RoHS ステータス: RoHS 準拠


製品の詳細

特徴

アプリケーション

製品タグ

♠商品説明

Atributo del producto Valor de atributo
ファブリカンテ: オンセミ
製品カテゴリ: MOSFET
RoHS: デターレス
技術: Si
エスティロ・デ・モンタヘ: SMD/SMT
パケーテ/キュビエルタ: SC-88-6
ポラリダッド デル トランジスタ: Nチャンネル
運河の数: 2チャンネル
Vds - Tensión interruptiva entre drenaje y fuente: 60V
Id - Corriente de drenaje continua: 295ミリアンペア
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 1.6オーム
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: -20V、+20V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1V
Qg - カルガ・デ・プエルタ: 900pc
最低気温: - 55℃
最高気温: + 150℃
Dp - Disipacion de potencia : 250mW
モド運河: 強化
エンパケタード: リール
エンパケタード: カットテープ
エンパケタード: マウスリール
マルカ: オンセミ
構成: デュアル
ティエンポ デ カイダ: 32ns
アルチュラ: 0.9mm
経度: 2mm
製品タイプ: MOSFET
ティエンポ・デ・サブダ: 34ns
シリーズ: NTJD5121N
Cantidad de empaque de fabrica: 3000
サブカテゴリ: MOSFET
トランジスタのタイプ: 2 Nチャンネル
ティエンポ・デ・リタード・デ・アパガド・ティピコ: 34ns
Tiempo típico de demora de encendido: 22ns
アンチョ: 1.25mm
ペソ・デ・ラ・ユニダード: 0.000212オンス

  • 前:
  • 次:

  • • 低 RDS(オン)

    • 低ゲートしきい値

    • 低入力容量

    •ESD保護ゲート

    • 固有のサイトとコントロールの変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション向けの NVJD プレフィックス。AEC-Q101 認定および PPAP 対応

    • これは鉛フリーのデバイスです

    ・ローサイドロードスイッチ

    • DC-DC コンバータ (バックおよびブースト回路)

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