NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
♠商品説明
Atributo del producto | Valor de atributo |
ファブリカンテ: | オンセミ |
製品カテゴリ: | MOSFET |
RoHS: | デターレス |
技術: | Si |
エスティロ・デ・モンタヘ: | SMD/SMT |
パケーテ/キュビエルタ: | SC-88-6 |
ポラリダッド デル トランジスタ: | Nチャンネル |
運河の数: | 2チャンネル |
Vds - Tensión interruptiva entre drenaje y fuente: | 60V |
Id - Corriente de drenaje continua: | 295ミリアンペア |
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 1.6オーム |
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | -20V、+20V |
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1V |
Qg - カルガ・デ・プエルタ: | 900pc |
最低気温: | - 55℃ |
最高気温: | + 150℃ |
Dp - Disipacion de potencia : | 250mW |
モド運河: | 強化 |
エンパケタード: | リール |
エンパケタード: | カットテープ |
エンパケタード: | マウスリール |
マルカ: | オンセミ |
構成: | デュアル |
ティエンポ デ カイダ: | 32ns |
アルチュラ: | 0.9mm |
経度: | 2mm |
製品タイプ: | MOSFET |
ティエンポ・デ・サブダ: | 34ns |
シリーズ: | NTJD5121N |
Cantidad de empaque de fabrica: | 3000 |
サブカテゴリ: | MOSFET |
トランジスタのタイプ: | 2 Nチャンネル |
ティエンポ・デ・リタード・デ・アパガド・ティピコ: | 34ns |
Tiempo típico de demora de encendido: | 22ns |
アンチョ: | 1.25mm |
ペソ・デ・ラ・ユニダード: | 0.000212オンス |
• 低 RDS(オン)
• 低ゲートしきい値
• 低入力容量
•ESD保護ゲート
• 固有のサイトとコントロールの変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション向けの NVJD プレフィックス。AEC-Q101 認定および PPAP 対応
• これは鉛フリーのデバイスです
・ローサイドロードスイッチ
• DC-DC コンバータ (バックおよびブースト回路)