NSS60201LT1G バイポーラトランジスタ – BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | オンセミ |
| 製品カテゴリ： | バイポーラトランジスタ - BJT |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | SOT-23-3 |
| トランジスタ極性: | NPN |
| 構成： | 独身 |
| コレクタ - エミッタ電圧 VCEO Max: | 60V |
| コレクタ - ベース電圧 VCBO: | 140V |
| エミッタ - ベース電圧 VEBO: | 8V |
| コレクタ - エミッタ飽和電圧: | 140mV |
| 最大 DC コレクタ電流: | 2A |
| Pd - 消費電力: | 540mW |
| 利得帯域幅積 fT: | 100MHz |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| シリーズ： | NSS60201LT1G |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | オンセミ |
| DC コレクタ/ベース ゲイン hfe Min: | 160 |
| 身長： | 0.94mm |
| 長さ： | 2.9mm |
| 製品の種類： | BJT - バイポーラトランジスタ |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ |
| テクノロジー： | Si |
| 幅： | 1.3mm |
| 単位重量: | 0.000282オンス |
♠ 低 VCE(sat) トランジスタ、NPN、60 V、4.0 A
ON Semiconductor の低 VCE(sat) トランジスタの e 2PowerEdge ファミリは、超低飽和電圧 (VCE(sat)) と高電流ゲイン能力を特長とする小型表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格の効率的なエネルギー制御が重要な低電圧、高速スイッチング アプリケーションで使用するために設計されています。
代表的なアプリケーションは、携帯電話やコードレス電話、PDA、コンピュータ、プリンタ、デジタル カメラ、MP3 プレーヤーなどのポータブルおよびバッテリ駆動製品の DC-DC コンバータおよび電源管理です。その他の用途としては、ディスク ドライブやテープ ドライブなどの大容量ストレージ製品の低電圧モーター制御があります。自動車産業では、エアバッグの展開やインストルメント クラスターで使用できます。高い電流ゲインにより、e2PowerEdge デバイスはPMU の制御出力から直接駆動され、リニア ゲイン (ベータ) により、アナログ アンプの理想的なコンポーネントになります。
• 固有のサイトとコントロールの変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション向けの NSV プレフィックス。AEC-Q101 認定および PPAP 対応
• これらのデバイスは、鉛フリー、ハロゲン フリー/BFR フリーであり、RoHS に準拠しています。
