NSS60201LT1G バイポーラトランジスタ – BJT 60V NPN 低VCE(SAT) XTR
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | オンセミ |
| 製品カテゴリー: | バイポーラトランジスタ - BJT |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | SOT-23-3 |
| トランジスタの極性: | NPN |
| 構成： | シングル |
| コレクタ-エミッタ電圧 VCEO 最大: | 60V |
| コレクター-ベース電圧 VCBO: | 140V |
| エミッタ-ベース電圧VEBO: | 8V |
| コレクタ-エミッタ飽和電圧: | 140 mV |
| 最大DCコレクタ電流: | 2A |
| Pd - 消費電力: | 540ミリワット |
| 利得帯域幅積fT: | 100MHz |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| シリーズ： | NSS60201LT1G |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | オンセミ |
| DCコレクタ/ベースゲインhfe最小: | 160 |
| 身長： | 0.94ミリメートル |
| 長さ： | 2.9ミリメートル |
| 製品タイプ: | BJT - バイポーラトランジスタ |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ |
| テクノロジー： | Si |
| 幅： | 1.3ミリメートル |
| 単位重量: | 0.000282オンス |
♠ 低VCE(sat)トランジスタ、NPN、60 V、4.0 A
ON Semiconductorのe2PowerEdge低VCE(sat)トランジスタファミリーは、超低飽和電圧（VCE(sat)）と高電流利得を特徴とする小型表面実装デバイスです。低コストで効率的なエネルギー制御が重要な低電圧・高速スイッチングアプリケーション向けに設計されています。
代表的な用途としては、携帯電話やコードレス電話、PDA、コンピュータ、プリンタ、デジタルカメラ、MP3プレーヤーなどのポータブル機器やバッテリー駆動機器のDC-DCコンバータや電源管理が挙げられます。また、ディスクドライブやテープドライブなどの大容量記憶装置における低電圧モーター制御にも用いられます。自動車業界では、エアバッグの展開や計器盤などに使用されています。高い電流利得を持つe2PowerEdgeデバイスは、PMU の制御出力から直接駆動され、線形ゲイン (ベータ) によりアナログ アンプの理想的なコンポーネントになります。
• 独自のサイトおよび制御変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション向けのNSVプレフィックス。AEC-Q101認定およびPPAP対応
• これらのデバイスは鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS準拠です
