NDS331N MOSFET NチャネルLL FETエンハンスメントモード
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | オンセミ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | SOT-23-3 |
| トランジスタの極性: | Nチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 20V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 1.3A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 210ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -8V、+8V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 500 mV |
| Qg - ゲート電荷: | 5nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 500ミリワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | オンセミ / フェアチャイルド |
| 構成： | シングル |
| 落下時間: | 25ナノ秒 |
| 身長： | 1.12ミリメートル |
| 長さ： | 2.9ミリメートル |
| 製品： | MOSFET小信号 |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 25ナノ秒 |
| シリーズ： | NDS331N |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1 Nチャネル |
| タイプ： | MOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 10ナノ秒 |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 5ナノ秒 |
| 幅： | 1.4ミリメートル |
| 部品番号別名: | NDS331N_NL |
| 単位重量: | 0.001129オンス |
♠ Nチャネルロジックレベルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ
これらのNチャネル・ロジックレベル・エンハンスメントモード・パワー電界効果トランジスタは、オン・セミコンダクター独自の高セル密度DMOSテクノロジーを用いて製造されています。この超高密度プロセスは、オン抵抗を最小限に抑えるために特別に設計されています。これらのデバイスは、超小型のアウトライン表面実装パッケージで高速スイッチングと低いインライン電力損失が求められる、ノートパソコン、携帯電話、PCMCIAカード、その他のバッテリー駆動回路などの低電圧アプリケーションに最適です。
• 1.3 A、20 V
♦ RDS(on) = 0.21 @ VGS = 2.7 V
♦ RDS(on) = 0.16 @ VGS = 4.5 V
• 業界標準アウトラインSOT−23表面実装パッケージを採用
優れた熱性能と電気性能を実現する独自のSUPERSOT−3設計
• 極めて低いRDS(on)を実現する高密度セル設計
• 優れたオン抵抗と最大DC電流能力
• これは鉛フリーデバイスです
