NDS331N MOSFET N-Ch LL FET 強化モード
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | オンセミ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | SOT-23-3 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 20V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 1.3A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 210ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -8V、+8V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 500mV |
| Qg - ゲートチャージ: | 5nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 500mW |
| チャネル モード: | 強化 |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | onsemi / フェアチャイルド |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 25ns |
| 身長： | 1.12mm |
| 長さ： | 2.9mm |
| 製品： | MOSFET小信号 |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 25ns |
| シリーズ： | NDS331N |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 N チャネル |
| タイプ： | MOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 10ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 5ns |
| 幅： | 1.4mm |
| パーツ # エイリアス: | NDS331N_NL |
| 単位重量: | 0.001129 オンス |
♠ Nチャンネルロジックレベル強化モード電界効果トランジスタ
これらの N チャネル ロジック レベル エンハンスメント モード パワー電界効果トランジスタは、ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えるように特別に調整されています。これらのデバイスは、ノートブック コンピューター、携帯電話、PCMCIA カード、およびその他のバッテリ駆動回路での低電圧アプリケーションに特に適しており、非常に小型のアウトライン サーフェス マウント パッケージで高速スイッチングと低インライン電力損失が必要とされます。
• 1.3A、20V
♦ RDS(on) = 0.21 @ VGS = 2.7 V
♦ RDS(on) = 0.16 @ VGS = 4.5 V
• 業界標準のアウトライン SOT-23 表面実装パッケージを使用
優れた熱的および電気的能力のための独自のSUPERSOT-3設計
• 非常に低い RDS(on) のための高密度セル設計
• 優れたオン抵抗と最大 DC 電流能力
• これは鉛フリーのデバイスです
