NCV8402ASTT1G MOSFET 42V 2.0A
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | オンセミ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | SOT-223-3 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 42V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 2A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 200ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -14V、+14V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 1.3V |
| Qg - ゲートチャージ: | - |
| 最低動作温度: | - 40℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 1.7W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | オンセミ |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 50 米ドル |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 120 米ドル |
| シリーズ： | NCV8402A |
| 工場パック数量: | 1000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 2 Nチャンネル |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 20us |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 25 米ドル |
| 単位重量: | 0.008818オンス |
♠ 温度および電流制限を備えた自己保護ローサイド ドライバ NCV8402、NCV8402A
NCV8402/A は、3 端子で保護されたローサイド スマート ディスクリート デバイスです。保護機能には、過電流、過熱、ESD、および過電圧保護のための統合されたドレインからゲートへのクランプが含まれます。このデバイスは保護を提供し、過酷な自動車環境に適しています。
• 短絡保護
• 自動再起動によるサーマルシャットダウン
• 過電圧保護
• 誘導スイッチング用の一体型クランプ
•ESD保護
• NCV8402AMNWT1G − ウェッタブル フランク製品
• dV/dt 堅牢性
• アナログドライブ機能 (ロジックレベル入力)
• 独自のサイトおよび管理変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション用の NCV プレフィックス。AEC-Q101 認定および PPAP 対応
• これらのデバイスは鉛フリーで、RoHS に準拠しています。
• さまざまな抵抗性、誘導性、および容量性負荷を切り替えます
• 電気機械式リレーとディスクリート回路を置き換えることができます
• 自動車/産業用
