NCV8402ADDR2G MOSFET 42V2A
♠ 製品説明
製品属性 | 属性値 |
メーカー: | オンセミ |
製品カテゴリー: | MOSFET |
RoHS指令: | 詳細 |
テクノロジー: | Si |
取り付けスタイル: | 表面実装 |
パッケージ/ケース: | SOIC-8 |
トランジスタの極性: | Nチャネル |
チャンネル数: | 2チャンネル |
Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 55V |
Id - 連続ドレイン電流: | 2A |
Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 165ミリオーム |
Vgs - ゲート-ソース電圧: | - 14V、+ 14V |
Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 1.3V |
Qg - ゲート電荷: | - |
最低動作温度: | - 55℃ |
最大動作温度: | + 150℃ |
Pd - 消費電力: | 800ミリワット |
チャネルモード: | 強化 |
資格: | AEC-Q101 |
パッケージ: | リール |
パッケージ: | カットテープ |
パッケージ: | マウスリール |
ブランド: | オンセミ |
構成: | シングル |
製品タイプ: | MOSFET |
シリーズ: | NCV8402AD |
工場パック数量: | 2500 |
サブカテゴリ: | MOSFET |
トランジスタタイプ: | 2 Nチャネル |
単位重量: | 0.002610オンス |
♠温度および電流制限機能を備えたデュアル自己保護ローサイドドライバ
NCV8402D/ADは、デュアル保護機能を備えたローサイド・スマート・ディスクリート・デバイスです。過電流、過熱、ESD、そして過電圧保護のためのドレイン・ゲート間クランプ機能を備えています。このデバイスは優れた保護性能を備え、過酷な車載環境にも適しています。
• 短絡保護
• 自動再起動機能付きサーマルシャットダウン
• 過電圧保護
• 誘導スイッチング用クランプ内蔵
• ESD保護
• dV/dtの堅牢性
• アナログ駆動機能(ロジックレベル入力)
• 自動車および他のアプリケーション向けのNCVプレフィックス(独自のサイトおよび制御変更要件が必要)、AEC-Q101認定およびPPAP対応
• これらのデバイスは鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS準拠です
• さまざまな抵抗性、誘導性、容量性負荷を切り替える
• 電気機械式リレーやディスクリート回路を置き換えることができます
• 自動車/産業