MGSF1N03LT1G MOSFET 30V 2.1A Nチャネル
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | オンセミ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | SOT-23-3 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 30V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 2.1A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 100ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 1V |
| Qg - ゲートチャージ: | 6nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 690mW |
| チャネル モード: | 強化 |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | オンセミ |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 8ns |
| 身長： | 0.94mm |
| 長さ： | 2.9mm |
| 製品： | MOSFET小信号 |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 1ns |
| シリーズ： | MGSF1N03L |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 N チャネル |
| タイプ： | MOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 16ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 2.5ns |
| 幅： | 1.3mm |
| 単位重量: | 0.000282オンス |
♠ MOSFET – シングル、N チャネル、SOT-23 30 V、2.1 A
これらの小型表面実装 MOSFET は RDS(on) が低く、最小限の電力損失を保証し、エネルギーを節約するため、これらのデバイスはスペースに敏感な電力管理回路での使用に最適です。典型的なアプリケーションは、コンピュータ、プリンタ、PCMCIA カード、携帯電話、コードレス電話などのポータブル製品やバッテリ駆動製品の DC-DC コンバータおよび電源管理です。
• 低RDS(on)により効率が向上し、バッテリ寿命が延長
• 小型 SOT-23 表面実装パッケージにより基板スペースを節約
• 独自のサイトおよび管理変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション向けの MV プレフィックス。AEC-Q101 認定および PPAP 対応
• これらのデバイスは鉛フリーで、RoHS に準拠しています。
