MGSF1N03LT1G MOSFET 30V 2.1A Nチャネル
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | オンセミ |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | SOT-23-3 |
| トランジスタの極性: | Nチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 30V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 2.1A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 100ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -20V、+20V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 1V |
| Qg - ゲート電荷: | 6nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 690ミリワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| パッケージ: | リール |
| パッケージ: | カットテープ |
| パッケージ: | マウスリール |
| ブランド： | オンセミ |
| 構成： | シングル |
| 落下時間: | 8ナノ秒 |
| 身長： | 0.94ミリメートル |
| 長さ： | 2.9ミリメートル |
| 製品： | MOSFET小信号 |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 1ナノ秒 |
| シリーズ： | MGSF1N03L |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタタイプ: | 1 Nチャネル |
| タイプ： | MOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 16ナノ秒 |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 2.5ナノ秒 |
| 幅： | 1.3ミリメートル |
| 単位重量: | 0.000282オンス |
♠ MOSFET – シングル、Nチャネル、SOT-23 30 V、2.1 A
これらの小型表面実装MOSFETは、低RDS(on)により電力損失を最小限に抑え、省エネルギーを実現するため、省スペースが求められる電源管理回路に最適です。代表的な用途としては、コンピュータ、プリンタ、PCMCIAカード、携帯電話、コードレス電話などのポータブル機器やバッテリー駆動製品のDC-DCコンバータや電源管理が挙げられます。
• 低RDS(on)により効率が向上し、バッテリー寿命が延長されます
• 小型SOT−23表面実装パッケージにより基板スペースを節約
• 独自のサイトおよび制御変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション向けのMVプレフィックス。AEC-Q101認定およびPPAP対応
• これらのデバイスは鉛フリーでRoHSに準拠しています
