LCMXO640C-3TN144I FPGA – フィールド プログラマブル ゲート アレイ 640 LUTS 113 I/0
♠商品説明
商品属性 | 属性値 |
メーカー: | 格子 |
製品カテゴリ: | FPGA - フィールド プログラマブル ゲート アレイ |
RoHS: | 詳細 |
シリーズ: | LCMXO640C |
論理要素の数: | 640ル |
I/O 数: | 113 入出力 |
供給電圧 - 最小: | 1.71V |
供給電圧 - 最大: | 3.465V |
最低動作温度: | - 40℃ |
最高動作温度: | +100℃ |
データレート: | - |
トランシーバーの数: | - |
取り付けスタイル: | SMD/SMT |
パッケージ/ケース: | TQFP-144 |
包装: | トレイ |
ブランド: | 格子 |
分散 RAM: | 6.1キロビット |
身長: | 1.4mm |
長さ: | 20mm |
最大動作周波数: | 500MHz |
湿気に敏感: | はい |
ロジック アレイ ブロックの数 - LAB: | 80ラボ |
動作供給電流: | 17ミリアンペア |
動作供給電圧: | 1.8V/2.5V/3.3V |
製品の種類: | FPGA - フィールド プログラマブル ゲート アレイ |
工場パック数量: | 60 |
サブカテゴリ: | プログラマブル ロジック IC |
合計メモリ: | 6.1キロビット |
幅: | 20mm |
単位重量: | 1.319グラム |
不揮発性、無限に再構成可能
• インスタントオン – マイクロ秒で起動
• シングルチップ、外部構成メモリ不要
• 優れた設計セキュリティ、インターセプトするビット ストリームなし
• SRAM ベースのロジックを数ミリ秒で再構成
• JTAG ポートを介してプログラム可能な SRAM および不揮発性メモリ
• 不揮発性メモリのバックグラウンド プログラミングをサポート
スリープモード
•最大100倍の静的電流削減が可能
TransFR™ リコンフィギュレーション (TFR)
• システム稼働中の現場でのロジック更新
高I/Oからロジック密度
• 256 ~ 2280 の LUT4
• 豊富なパッケージ オプションを備えた 73 ~ 271 の I/O
• 密度移行のサポート
• 鉛フリー/RoHS 準拠のパッケージ
組み込みおよび分散メモリ
• 最大 27.6K ビットの sysMEM™ 組み込みブロック RAM
• 最大 7.7 K ビットの分散 RAM
• 専用の FIFO 制御ロジック
柔軟な I/O バッファ
• プログラム可能な sysIO™ バッファは、幅広いインターフェイスをサポートします。
– LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
–LVTTL
– PCI
– LVDS、バス LVDS、LVPECL、RSDS
sysCLOCK™ PLL
• デバイスごとに最大 2 つのアナログ PLL
• クロックの乗算、除算、位相シフト
システム レベルのサポート
• IEEE 規格 1149.1 バウンダリ スキャン
• オンボード発振器
• デバイスは 3.3V、2.5V、1.8V、または 1.2V の電源で動作します。
• IEEE 1532 準拠のインシステム プログラミング