LCMXO640C-3TN144I FPGA – フィールド プログラマブル ゲート アレイ 640 LUTS 113 I/0

簡単な説明:

メーカー:ラティス
製品カテゴリ:FPGA – フィールド プログラマブル ゲート アレイ
データシート:LCMXO640C-3TN144I
説明:IC FPGA 113 I/O 144TQFP
RoHS ステータス: RoHS 準拠


製品の詳細

特徴

製品タグ

♠商品説明

商品属性 属性値
メーカー: 格子
製品カテゴリ: FPGA - フィールド プログラマブル ゲート アレイ
RoHS: 詳細
シリーズ: LCMXO640C
論理要素の数: 640ル
I/O 数: 113 入出力
供給電圧 - 最小: 1.71V
供給電圧 - 最大: 3.465V
最低動作温度: - 40℃
最高動作温度: +100℃
データレート: -
トランシーバーの数: -
取り付けスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: TQFP-144
包装: トレイ
ブランド: 格子
分散 RAM: 6.1キロビット
身長: 1.4mm
長さ: 20mm
最大動作周波数: 500MHz
湿気に敏感: はい
ロジック アレイ ブロックの数 - LAB: 80ラボ
動作供給電流: 17ミリアンペア
動作供給電圧: 1.8V/2.5V/3.3V
製品の種類: FPGA - フィールド プログラマブル ゲート アレイ
工場パック数量: 60
サブカテゴリ: プログラマブル ロジック IC
合計メモリ: 6.1キロビット
幅: 20mm
単位重量: 1.319グラム

  • 前:
  • 次:

  • 不揮発性、無限に再構成可能

    • インスタントオン – マイクロ秒で起動

    • シングルチップ、外部構成メモリ不要

    • 優れた設計セキュリティ、インターセプトするビット ストリームなし

    • SRAM ベースのロジックを数ミリ秒で再構成

    • JTAG ポートを介してプログラム可能な SRAM および不揮発性メモリ

    • 不揮発性メモリのバックグラウンド プログラミングをサポート

    スリープモード

    •最大100倍の静的電流削減が可能

    TransFR™ リコンフィギュレーション (TFR)

    • システム稼働中の現場でのロジック更新

    高I/Oからロジック密度

    • 256 ~ 2280 の LUT4

    • 豊富なパッケージ オプションを備えた 73 ~ 271 の I/O

    • 密度移行のサポート

    • 鉛フリー/RoHS 準拠のパッケージ

    組み込みおよび分散メモリ

    • 最大 27.6K ビットの sysMEM™ 組み込みブロック RAM

    • 最大 7.7 K ビットの分散 RAM

    • 専用の FIFO 制御ロジック

    柔軟な I/O バッファ

    • プログラム可能な sysIO™ バッファは、幅広いインターフェイスをサポートします。

    – LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2

    –LVTTL

    – PCI

    – LVDS、バス LVDS、LVPECL、RSDS

    sysCLOCK™ PLL

    • デバイスごとに最大 2 つのアナログ PLL

    • クロックの乗算、除算、位相シフト

    システム レベルのサポート

    • IEEE 規格 1149.1 バウンダリ スキャン

    • オンボード発振器

    • デバイスは 3.3V、2.5V、1.8V、または 1.2V の電源で動作します。

    • IEEE 1532 準拠のインシステム プログラミング

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