LCMXO2280C-4TN144C FPGA – フィールドプログラマブルゲートアレイ 2280 LUT 113 IO 1.8 /2.5/3.3V -4 スピード
♠ 製品説明
製品属性 | 属性値 |
メーカー: | 格子 |
製品カテゴリー: | FPGA - フィールドプログラマブルゲートアレイ |
RoHS指令: | 詳細 |
シリーズ: | LCMXO2280C |
ロジック要素の数: | 2280 LE |
I/O数: | 113 入出力 |
供給電圧 - 最小: | 1.71V |
供給電圧 - 最大: | 3.465V |
最低動作温度: | 0℃ |
最大動作温度: | + 85℃ |
データレート: | - |
トランシーバーの数: | - |
取り付けスタイル: | 表面実装 |
パッケージ/ケース: | TQFP-144 |
パッケージ: | トレイ |
ブランド: | 格子 |
分散RAM: | 7.7キロビット |
組み込みブロック RAM - EBR: | 27.6キロビット |
身長: | 1.4ミリメートル |
長さ: | 20ミリメートル |
最大動作周波数: | 550MHz |
湿気に敏感: | はい |
ロジックアレイブロック数(LAB): | 285ラボ |
動作電源電流: | 23mA |
動作電源電圧: | 1.8V/2.5V/3.3V |
製品タイプ: | FPGA - フィールドプログラマブルゲートアレイ |
工場パック数量: | 60 |
サブカテゴリ: | プログラマブルロジックIC |
合計メモリ: | 35.3 kビット |
幅: | 20ミリメートル |
単位重量: | 1.319グラム |
不揮発性、無限に再構成可能
• インスタントオン - マイクロ秒単位で電源が入ります
• シングルチップ、外部構成メモリは不要
• 優れた設計セキュリティ、傍受されるビットストリームなし
• SRAMベースのロジックを数ミリ秒で再構成
• JTAGポート経由でプログラム可能なSRAMおよび不揮発性メモリ
• 不揮発性メモリのバックグラウンドプログラミングをサポート
スリープモード
• 静電流を最大100倍削減
TransFR™再構成(TFR)
• システム動作中のフィールド内ロジック更新
高いI/Oからロジックへの密度
• 256~2280個のLUT4
• 73~271個のI/Oと豊富なパッケージオプション
• 密度移行をサポート
• 鉛フリー/RoHS準拠パッケージ
組み込みおよび分散メモリ
• 最大27.6 KビットのsysMEM™組み込みブロックRAM
• 最大7.7Kビットの分散RAM
• 専用のFIFO制御ロジック
柔軟なI/Oバッファ
• プログラム可能な sysIO™ バッファは幅広いインターフェースをサポートします。
– LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
– LVTTL
– PCI
– LVDS、バスLVDS、LVPECL、RSDS
sysCLOCK™ PLL
• デバイスあたり最大2つのアナログPLL
• クロックの逓倍、分周、位相シフト
システムレベルのサポート
• IEEE規格1149.1 境界スキャン
• オンボード発振器
• デバイスは3.3V、2.5V、1.8V、または1.2Vの電源で動作します
• IEEE 1532準拠のインシステムプログラミング