IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A ウルトラジャンクション X2
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | IXYS |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 650V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 22A |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 160ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -30V、+30V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 2.7V |
| Qg - ゲートチャージ: | 38nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 360W |
| チャネル モード: | 強化 |
| 商標名： | HiPerFET |
| 包装: | チューブ |
| ブランド： | IXYS |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 10ns |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 8S |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 35ns |
| シリーズ： | 650V ウルトラジャンクション X2 |
| 工場パック数量: | 50 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 33ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 38ns |
| 単位重量: | 0.139332 オンス |
