IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A ウルトラジャンクションX2
♠ 製品説明
| 製品属性 | 属性値 |
| メーカー: | イクシス |
| 製品カテゴリー: | MOSFET |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | 表面実装 |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3 |
| トランジスタの極性: | Nチャネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 650V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 22 A |
| Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 160ミリオーム |
| Vgs - ゲート-ソース電圧: | -30V、+30V |
| Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 2.7V |
| Qg - ゲート電荷: | 38nC |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最大動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 360ワット |
| チャネルモード: | 強化 |
| 商号: | ハイパーFET |
| パッケージ: | チューブ |
| ブランド： | イクシス |
| 構成： | シングル |
| 落下時間: | 10ナノ秒 |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 8秒 |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 立ち上がり時間: | 35ナノ秒 |
| シリーズ： | 650VウルトラジャンクションX2 |
| 工場パック数量: | 50 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 33ナノ秒 |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 38ナノ秒 |
| 単位重量: | 0.139332オンス |
