IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ 製品説明
製品属性 | 属性値 |
メーカー: | インフィニオン |
製品カテゴリー: | MOSFET |
テクノロジー: | Si |
取り付けスタイル: | 表面実装 |
パッケージ/ケース: | TO-252-3 |
トランジスタの極性: | Nチャネル |
チャンネル数: | 1チャンネル |
Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: | 40V |
Id - 連続ドレイン電流: | 50A |
Rds On - ドレイン-ソース抵抗: | 7.2ミリオーム |
Vgs - ゲート-ソース電圧: | -20V、+20V |
Vgs th - ゲート-ソース閾値電圧: | 2V |
Qg - ゲート電荷: | 22.4 nC |
最低動作温度: | - 55℃ |
最大動作温度: | + 175℃ |
Pd - 消費電力: | 46ワット |
チャネルモード: | 強化 |
資格: | AEC-Q101 |
商号: | オプティモス |
パッケージ: | リール |
パッケージ: | カットテープ |
パッケージ: | マウスリール |
ブランド: | インフィニオンテクノロジーズ |
構成: | シングル |
落下時間: | 6ナノ秒 |
身長: | 2.3ミリメートル |
長さ: | 6.5ミリメートル |
製品タイプ: | MOSFET |
立ち上がり時間: | 7ナノ秒 |
シリーズ: | オプティモス-T2 |
工場パック数量: | 2500 |
サブカテゴリ: | MOSFET |
トランジスタタイプ: | 1 Nチャネル |
標準的なターンオフ遅延時間: | 5ナノ秒 |
標準的なターンオン遅延時間: | 5ナノ秒 |
幅: | 6.22ミリメートル |
部品番号別名: | IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1 |
単位重量: | 0.011640オンス |
• Nチャネル – エンハンスメントモード
• AEC認定
• MSL1 最大260°Cピークリフロー
• 175°Cの動作温度
• グリーン製品(RoHS準拠)
• 100%雪崩テスト済み