FDV301N MOSFET N-Ch デジタル
♠商品説明
| 商品属性 | 属性値 |
| メーカー： | オンセミ |
| 製品カテゴリ： | MOSFET |
| RoHS: | 詳細 |
| テクノロジー： | Si |
| 取り付けスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | SOT-23-3 |
| トランジスタ極性: | Nチャンネル |
| チャンネル数: | 1チャンネル |
| Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 25V |
| Id - 連続ドレイン電流: | 220ミリアンペア |
| Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 5オーム |
| Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -8V、+8V |
| Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 700mV |
| Qg - ゲートチャージ: | 700pc |
| 最低動作温度: | - 55℃ |
| 最高動作温度: | + 150℃ |
| Pd - 消費電力: | 350mW |
| チャネル モード: | 強化 |
| 包装: | リール |
| 包装: | カットテープ |
| 包装: | マウスリール |
| ブランド： | onsemi / フェアチャイルド |
| 構成： | 独身 |
| 落下時間: | 6ns |
| 順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 0.2秒 |
| 身長： | 1.2mm |
| 長さ： | 2.9mm |
| 製品： | MOSFET小信号 |
| 製品の種類： | MOSFET |
| 立ち上がり時間： | 6ns |
| シリーズ： | FDV301N |
| 工場パック数量: | 3000 |
| サブカテゴリ: | MOSFET |
| トランジスタの種類: | 1 N チャネル |
| タイプ： | FET |
| 標準的なターンオフ遅延時間: | 3.5ns |
| 標準的なターンオン遅延時間: | 3.2ns |
| 幅： | 1.3mm |
| パーツ # エイリアス: | FDV301N_NL |
| 単位重量: | 0.000282オンス |
♠ デジタルFET、Nチャンネル FDV301N、FDV301N-F169
この N チャネル ロジック レベル エンハンスメント モード電界効果トランジスタは、onsemi 独自の高セル密度 DMOS 技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えるように特別に調整されています。このデバイスは、デジタル トランジスタの代替品として、特に低電圧アプリケーション向けに設計されています。バイアス抵抗が不要なため、この 1 つの N チャネル FET で、異なるバイアス抵抗値を持つ複数の異なるデジタル トランジスタを置き換えることができます。
• 25 V、連続 0.22 A、ピーク 0.5 A
♦ RDS(on) = 5 @ VGS = 2.7 V
♦ RDS(on) = 4 @ VGS = 4.5 V
• 3 V 回路での直接動作を可能にする非常に低いレベルのゲート駆動要件。VGS(th) < 1.06 V
• ESD 耐久性のためのゲート-ソース ツェナー。> 6 kV 人体モデル
• 複数の NPN デジタル トランジスタを 1 つの DMOS FET に置き換える
• このデバイスは、鉛フリーおよびハロゲンフリーです。
